首页> 中国专利> 使用含硅前驱物和原子氧进行高质量流体状硅氧化物的化学气相沉积

使用含硅前驱物和原子氧进行高质量流体状硅氧化物的化学气相沉积

摘要

本文描述沉积氧化硅层于基材上的方法。该方法可包括提供基材至沉积室、在沉积室外产生氧原子前驱物以及将氧原子前驱物引至沉积室中的多个步骤。该方法亦可包括引进硅前驱物至沉积室中,其中硅前驱物和氧原子前驱物先在沉积室内混合。硅前驱物与氧原子前驱物反应而形成氧化硅层于基材上,所沉积的氧化硅层可经退火处理。本文亦描述用来沉积氧化硅层于基材上的系统。

著录项

  • 公开/公告号CN101831631A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料股份有限公司;

    申请/专利号CN201010169884.5

  • 申请日2007-05-30

  • 分类号C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56;

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陆嘉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-18 00:52:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-10-22

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/40 申请公布日:20100915 申请日:20070530

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-01-04

    著录事项变更 IPC(主分类):C23C16/40 变更前: 变更后: 申请日:20070530

    著录事项变更

  • 2010-11-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/40 申请日:20070530

    实质审查的生效

  • 2010-09-15

    公开

    公开

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