首页> 中国专利> 一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块

一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块

摘要

本发明是一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块,属于激光技术领域。本发明由半导体二极管阵列、2μm激光晶体、半导体二极管阵列热沉、激光晶体热沉和热沉反射面组成。半导体二极管阵列输出的泵浦光进入2μm激光晶体并被其吸收,未吸收尽的泵浦光被激光晶体热沉的表面所反射,再次进入2μm激光晶体获得再次吸收;激光晶体热沉的反射面上镀对泵浦光的高反膜,使用中该反射面与2μm激光晶体紧包接触,不但对2μm激光晶体进行传导冷却,还将未吸收完的泵浦光反射回2μm激光晶体,提高2μm激光晶体对于泵浦光的吸收,从而获得更大功率的2μm激光输出。

著录项

  • 公开/公告号CN101740996A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-06-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京理工大学;

    申请/专利号CN200910243142.X

  • 申请日2009-12-29

  • 分类号H01S3/0941;H01S3/042;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

  • 入库时间 2023-12-18 00:31:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-12-21

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S3/0941 公开日:20100616 申请日:20091229

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-09-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S3/0941 申请日:20091229

    实质审查的生效

  • 2010-06-16

    公开

    公开

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