处理高k电介质以实现CET缩放的方法

摘要

一种制造半导体器件(10)的方法，包括制造具有覆盖栅电极(22)的栅电介质(17)。半导体器件(10)被制造在半导体层(12)上。在半导体层上沉积包括锆酸铪的高k电介质(16)。在包括氢和氮的环境中在650摄氏度与850摄氏度之间的温度下对高k电介质进行退火。在高k电介质上形成栅电极(22)。高k电介质工在栅电极(17)中使用。一种影响是在保持、甚至改善栅极漏电水平的同时改善晶体管性能。