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金氧半晶体管及应用该金氧半晶体管的电压转换电路

摘要

本发明公开一种利用一阻抗组件耦接于金氧半晶体管的基极与第一源/漏极之间。当产生逆电流的情况时,可限制流经体二极管的逆电流,使金氧半晶体管不致因过热而烧毁。而且金氧半晶体管的基极与第一源/漏极为等电位的情况下,金氧半晶体管的漏极至源极电阻Rds(on)相当小,使金氧半晶体管的功率耗损低且使用本发明的金氧半晶体管的转换电路也能有较高的转换效率。

著录项

  • 公开/公告号CN101728388A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 登丰微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200810171151.8

  • 发明设计人 刘中唯;

    申请日2008-10-22

  • 分类号H01L27/06;H01L29/78;H02M3/156;

  • 代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人梁挥

  • 地址 中国台湾台北县

  • 入库时间 2023-12-18 00:14:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-11-16

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/06 公开日:20100609 申请日:20081022

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-08-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/06 申请日:20081022

    实质审查的生效

  • 2010-06-09

    公开

    公开

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