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用于形成光电二极管的曝光掩膜及用其制造图像传感器的方法

摘要

本发明披露了一种用于形成图像传感器的光电二极管的曝光掩膜以及使用该曝光掩膜制造图像传感器的方法。用于形成图像传感器的光电二极管的曝光掩膜包括:多个主开口图样,这些主开口图样分别包括矩形形状的第一开口图样和从与第一开口图样的至少一个拐角相邻的预定区域向外凸出的第二开口图样;以及附加凸出开口图样,从与第二开口图样的每个拐角相邻的预定区域向外凸出。

著录项

  • 公开/公告号CN101726992A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东部高科股份有限公司;

    申请/专利号CN200910180422.0

  • 发明设计人 赵禺瑱;

    申请日2009-10-14

  • 分类号G03F1/14;G03F7/00;H01L21/82;

  • 代理机构北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人宋子良

  • 地址 韩国首尔

  • 入库时间 2023-12-18 00:14:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-07-04

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F1/14 公开日:20100609 申请日:20091014

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-06-09

    公开

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