霍尔磁传感器零点漂移进行补偿的方法

摘要

霍尔磁传感器零点漂移进行补偿的方法，目前，公知的Hall磁传感器在外加磁场B＝0时，由于霍尔电极几何位置不对称、电极欧姆接触不良、电阻率不均匀、温度不均匀等因素使霍尔输出电压VH不等于零，产生零位误差VHO。为消除零位误差，主要采用外加补偿电路对零位漂移进行补偿，该种方法不易于磁传感器向小型化、智能化方向发展。本发明是通过CMOS工艺制作MOSFETHall霍尔磁传感器的沟道四个等效电阻阻值随外加栅压而变化。本发明应用在医学、汽车等领域。