公开/公告号CN101714507A
专利类型发明专利
公开/公告日2010-05-26
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN200910178783.1
申请日2009-09-30
分类号H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423;
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;
代理人姜燕
地址 中国台湾新竹市
入库时间 2023-12-17 23:52:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-16
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20100526 申请日:20090930
发明专利申请公布后的视为撤回
2010-08-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20090930
实质审查的生效
2010-05-26
公开
公开
机译: 堆叠式栅极结构,包括该堆叠式栅极结构的金属氧化物半导体及其制造方法
机译: 一种通过在裸露的硅藻土的暴露过程中保护栅极下面的涂层来制造具有栅极结构并提高具有大ε的栅极堆叠的完整性的半导体器件的方法
机译: 具有金属栅极的半导体器件以及用于制造具有金属栅极的半导体器件的方法