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背侧照射的成像器及制作背侧照射的成像器的方法

摘要

本发明揭示一种用于制作从晶片的背侧检测光的成像器的结构及方法。所述结构可具有较不复杂的聚焦、减小的串扰、较紧密的像素组装密度、提高的量子效率及晶片级封装。所述成像器的制作包括在硅晶片上形成成像装置,将互连晶片粘附到所述装置晶片、在所述互连晶片上形成互连件,蚀刻掉所述装置晶片的衬底及图案化所述装置晶片的背侧上的例如氮化物、色彩过滤器阵列及透镜等额外层。

著录项

  • 公开/公告号CN101689555A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 普廷数码影像控股公司;

    申请/专利号CN200880006388.9

  • 发明设计人 弗雷德里克·布雷迪;

    申请日2008-02-29

  • 分类号H01L27/146;

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人孟锐

  • 地址 英属开曼群岛

  • 入库时间 2023-12-17 23:52:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-04-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/146 公开日:20100331 申请日:20080229

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-05-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20080229

    实质审查的生效

  • 2010-03-31

    公开

    公开

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