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使用顺序微通路激光钻凿形成多层衬底芯层结构的方法和根据该方法形成的衬底芯层结构

摘要

一种制造衬底芯层结构的方法以及根据该方法形成的衬底芯层结构。该方法包括:贯穿起始绝缘层激光钻凿第一组通路孔;用导电材料填充第一组通路孔以提供第一组导电通路;在起始绝缘层相对的两个面上提供第一和第二经布图处理的导电层;在第一经布图处理的导电层上提供补充绝缘层;贯穿补充绝缘层地激光钻凿第二组通路孔;用导电材料填充第二组通路孔以提供第二组导电通路;并在补充绝缘层的暴露面上提供补充经布图处理的导电层,第二组导电通路在其相对的两个面上与第一经布图处理的导电层接触和补充经布图的导电层接触。

著录项

  • 公开/公告号CN101690436A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN200880022291.7

  • 发明设计人 李永刚;I·萨拉玛;C·古鲁穆尔蒂;

    申请日2008-06-23

  • 分类号H05K3/46;H05K3/00;

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人钱慰民

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 23:48:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-06

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H05K3/46 申请公布日:20100331 申请日:20080623

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2010-05-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05K3/46 申请日:20080623

    实质审查的生效

  • 2010-03-31

    公开

    公开

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