使用羰基原料的金属膜的成膜方法、多层配线构造的形成方法、半导体装置的制造方法、成膜装置

摘要

本发明提供使用羰基原料的金属膜的成膜方法、多层配线构造的形成方法、半导体装置的制造方法、成膜装置，该成膜方法的特征在于，包括：第一工序，将金属元素的羰基原料以气相分子的形态与抑制上述气相分子的分解的气相成分一起供给至被处理基板表面，其中，将上述气相成分的分压设定为抑制上述羰基气相原料分子的分解的第一分压；和第二工序，使上述气相成分的分压在上述被处理基板表面变化为产生上述羰基原料的分解的第二分压，使上述金属元素沉积在上述被处理基板表面。