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一种细线宽硅化物阻挡层图案形成方法

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摘要

本发明涉及了一种细线宽硅化物阻挡层图案形成方法，通过MUV光刻形成MUV光刻胶图形后，结合干法刻蚀对MUV光刻胶图形进行修整以使其线宽变细，采用修整后的MUV光刻胶图形作为阻挡层进行刻蚀以形成细线宽硅化物阻挡层图案，突破了MUV光刻胶的光刻极限，将其应用延伸至350nm以下的线宽技术领域。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-12-05

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F7/00 申请公布日:20100127 申请日:20090825

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-07-13

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/00 申请日:20090825

实质审查的生效
2010-01-27

公开

公开

1. 一种细线宽硅化物阻挡层图案形成方法 [P] . 中国专利： CN101634806A . 2010-01-27
2. 金属硅化物阻挡层的形成方法 [P] . 中国专利： CN102543716A . 2012-07-04
3. FABRICATION METHOD OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, CAPABLE OF BEING APPLIED TO A DUAL SILICIDE PROCESS AND A DUAL STRESS LINER PROCESS BY REMOVING ONE OF TWO SILICIDE BARRIER PROCESSES [P] . 韩国专利： KR20090116478A . 2009-11-11

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4. RESIST PATTERN MODIFYING MATERIAL, A RESIST PATTERN FORMING METHOD, AND A METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF MODIFYING LINE WIDTH ROUGHNESS OF RESIST PATTERNS [P] . 韩国专利： KR20120042624A . 2012-05-03

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