载置台机构、等离子体处理装置和电压施加方法

摘要

本发明提供载置台机构、等离子体处理装置和电压施加方法。该载置台机构通过减小在向吸盘电极施加直流电压时和切断直流电压时的吸盘等效电路的时间常数，使电荷的蓄积和电荷的释放分别得以迅速地进行。在处理容器(52)内载置被进行等离子体处理的被处理体(W)的载置台机构，设置有载置台(84)、在内部设置有吸盘电极(114)的静电吸盘(86)、经供电线(116)连接的直流高压电源(120)、插设在供电线上的吸盘用开关部(124)、用于检测载置台的直流成分的直流成分检测电路(96)、旁通直流成分检测电路的旁路线(108)、插设在旁路线的中途用于使直流成分检测电路旁通而使载置台接地的旁路用开关部(110)、和控制开关部的开关控制部(112)。

说明书

技术领域

本发明涉及对半导体基板、液晶显示装置的玻璃基板等被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置、在该等离子体处理装置中使用的载置台机构和向静电吸盘施加电压的电压施加方法。

背景技术

一般而言，在制造半导体集成电路、液晶显示装置时，需要在半导体基板、玻璃基板上反复进行成膜处理、蚀刻处理、改性处理、氧化扩散处理等。

而且，在上述各种处理中，例如在蚀刻处理等中，使用等离子体处理装置进行处理(专利文献1～3)。下面，参照图16，说明现有的等离子体处理装置的一例。如图16所示，该等离子体处理装置具有例如由铝合金构成的处理容器2，在该处理容器2内，能够通过未图示的真空排气系统进行真空排气。在该处理容器2的顶部，作为向该处理容器2内导入必要的气体的气体导入机构，设置有例如由铝合金构成的喷淋头部4，并在处理容器2的底部侧设置有载置台机构6。

该载置台机构6主要由隔着例如由氧化铝等陶瓷材料构成的绝缘材料8设置的载置台10和设置在载置台10的上表面侧的静电吸盘12构成，其中，载置台10例如由铝合金构成。而且，在上述静电吸盘12上，作为被处理体载置例如由玻璃基板或半导体基板构成的被处理体W，通过静电力能够吸住该被处理体W。

这样，上述喷淋头部4和载置台10被对置配置，分别构成上部电极和下部电极而成为平行平板型的等离子体电极。具体而言，在上述载置台10上，连接有高频线14，在该高频线14上依次插设有匹配电路16和例如13.56MHz的高频电源18，通过高频电力生成等离子体。

此外，在上述载置台10上，经由检测线20设置有直流成分检测电路22。该直流成分检测电路22在上述检测线20上依次串联连接高频切断用线圈24、第一电阻26和第二电阻28而构成，从上述高频切断用线圈24和第一电阻26的连接点处分出电容器30。而且，通过使用测定部32测定上述第二电阻28的电压降，能够识别等离子体处理中的载置台10的直流成分。

而且，通过上述高频切断用线圈24和电容器30切断来自载置台10的高频电力。此外，该直流成分检测电路22还具有在等离子体处理结束而停止施加高频电力时释放出被充电到吸盘电极34和载置台10的电荷的功能。

此外，上述静电吸盘12在例如由聚酰亚胺类树脂或陶瓷等构成的板状的绝缘材料的内部嵌入吸盘电极34而构成。而且，从该吸盘电极34延伸出供电线36，在该供电线36上，经由阻止高频电力进入的滤波部38连接有直流高压电源40。

而且，通过向上述吸盘电极34施加产生自该直流高压电源40的高的直流电压，能够以静电力吸附该静电吸盘12上的被处理体W。上述滤波部38在上述供电线36上依次串联连接高频切断用线圈42和电阻44而构成，从上述高频切断用线圈42和电阻44的连接点分出电容器46。

而且，通过上述高频切断用线圈42阻止施加在载置台10上的高频电力绕入直流高压电源40。此外，在该供电线36的滤波部38的下游侧，设置有用于接通、断开直流高压电源40的吸盘用的开关部45。

在这样的等离子体处理装置中，如果被处理体被载置在载置台10上，则闭合上述吸盘用开关部45，从上述直流高压电源40向静电吸盘12的吸盘电极34施加高的直流电压，在该吸盘电极34中充分蓄积电荷，通过静电力更稳定地吸附被处理体W。而且，在进行吸附后，通过高频电源18施加高频电力，并且，从喷淋头部4流出规定的气体例如蚀刻气体，通过上述高频电力产生等离子体，进行使用了等离子体的蚀刻处理。

然后，在上述蚀刻处理结束时，停止蚀刻气体的供给，并切断施加在载置台10上的高频电力。进一步，打开上述吸盘用开关部45，切断施加在静电吸盘12的吸盘电极34上的高的直流电压，然后，在蓄积在吸盘电极34和载置台10上的电荷经由直流成分检测电路22而被充分地放电后，取出上述被处理体W。

专利文献1：日本特开平08-017808号公报

专利文献2：日本特开平08-031918号公报

专利文献3：日本特开平2002-043402号公报

发明内容

但是，在吸附被处理体时、至在上述静电吸盘12的吸盘电极34蓄积使电荷静电力充分上升而稳定为止，或在等离子体处理结束时、在停止施加高频电力之后至将蓄积在静电吸盘12上的电荷释放而稳定为止，虽然与吸盘电极34的表面积相关，但是各自无法避免地需要秒单位程度的时间。这是因为吸盘等效电路具有基于在电阻26、28、44、吸盘电极34与载置台10之间形成的电容成分的时间常数。

在这种情况下，在半导体基板的直径尺寸为6英寸或8英寸的小尺寸时，不会发生特别的问题，但是，当直径尺寸为12英寸(300mm)或12英寸以上时，在吸附被处理体时至在吸盘电极34上充分地蓄积电荷为止所需的时间(电荷蓄积时间)，或在等离子体处理结束时至将蓄积在吸盘电极34中的电荷充分地放电为止所需的时间(电荷释放时间)方面需要相当的时间，因此，存在产品的生产率变低，处理能力低下的问题。

特别是存在如下问题：在被处理体是液晶显示装置的玻璃基板的情况下，该玻璃基板的大型化显著，甚至存在长宽为3m×3m左右的大型玻璃基板，在被处理体是这样的大型玻璃基板的情况下，上述的电荷蓄积时间和电荷释放时间甚至各自需要50～60秒左右，处理能力被大幅度降低。

本发明是着眼于上述问题点，为了有效地解决该问题而完成的。本发明的目的在于提供一种载置台机构、使用它的等离子体处理装置和向静电吸盘施加电压的方法，该载置台机构能够减小在向吸盘电极施加直流电压时和将施加在吸盘电极上的直流电压切断时的吸盘等效电路的时间常数，其结果是，使对吸盘电极进行的电荷的蓄积和电荷的释放各自迅速地进行，能够提高产品的生产能力，提高处理能力。

权利要求1的发明是一种载置台机构，设置在能够被真空排气的处理容器内，载置利用通过高频电力产生的等离子体实施规定的等离子体处理的被处理体，该载置台机构的特征在于，包括：用于载置所述被处理体的、由导电部件构成的载置台；配置在所述载置台的上表面、为了吸附所述被处理体而在内部设置有吸盘电极的静电吸盘；为了施加产生静电力的直流电压而经由供电线连接在所述吸盘电极上的直流高压电源；插设在所述供电线的中途、在吸附所述被处理体时被闭合的吸盘用开关部；为了检测在所述等离子体处理时施加在所述载置台上的直流成分而被连接在所述载置台上的直流成分检测电路；旁通所述直流成分检测电路的旁路线；插设在所述旁路线的中途、在将所述吸盘用开关部切换到闭合状态时和切换到打开状态时使所述直流成分检测电路旁通从而使所述载置台接地的旁路用开关部；和控制所述吸盘用开关部和所述旁路用开关部的开关控制部。

这样，在载置台机构中，在闭合吸盘用开关部向吸盘电极施加直流电压时，闭合使直流成分检测电路旁通而使载置台接地的旁路用开关部，进一步，在打开吸盘用开关部切断施加在吸盘电极上的直流电压时，也闭合使直流成分检测电路旁通而使载置台接地的旁路用开关部，因此，能够减小在向吸盘电极施加直流电压时和切断施加在吸盘电极上的直流电压时的吸盘等效电路的时间常数，其结果是，能够使对吸盘电极进行的电荷的蓄积和电荷的释放各自迅速地进行，能够提高产品的生产率、提高处理能力。

权利要求2的发明是在权利要求1的发明，其特征在于：还包括插设在所述供电线的中途的滤波部，该滤波部用于阻止所述高频电力进入所述直流高压电源。

权利要求3的发明是权利要求2的发明，其特征在于：所述滤波部由电阻元件构成，或者由电阻元件和电容元件构成。

权利要求4的发明是权利要求2的发明，其特征在于：所述滤波部由感应元件构成，或者由感应元件和电容元件构成。

权利要求5的发明是权利要求1～4中任一项所述的发明，其特征在于：所述直流成分检测电路经由检测线与所述载置台连接。

权利要求6的发明是权利要求1～5中任一项所述的发明，其特征在于：所述开关控制部进行控制，使得在将所述吸盘用开关部切换到闭合状态时，与该切换同时或在切换之前将所述旁路用开关部切换到闭合状态。

权利要求7的发明是权利要求6的发明，其特征在于：所述开关控制部进行控制，使得在将所述吸盘用开关部从打开状态切换到闭合状态之后经过了规定时间时将所述旁路用开关部切换到打开状态。

权利要求8的发明是权利要求1～7中任一项所述的发明，其特征在于：所述开关控制部进行控制，使得在将所述吸盘用开关部切换到打开状态时，与该切换同时或在切换之前将所述旁路用开关部切换到闭合状态。

权利要求9的发明是权利要求8的发明，其特征在于：所述开关控制部进行控制，使得在将所述吸盘用开关部从闭合状态切换到打开状态之后经过了规定时间时将所述旁路用开关部切换到打开状态。

权利要求10的发明是一种载置台机构，设置在能够被真空排气的处理容器内，载置利用通过高频电力产生的等离子体进行规定的等离子体处理的被处理体，该载置台机构的特征在于，包括：用于载置所述被处理体的、由导电部件构成的载置台；配置在所述载置台的上表面、为了吸附所述被处理体而在内部设置有吸盘电极的静电吸盘；为了施加产生静电力的直流电压而经由供电线连接在所述吸盘电极上的直流高压电源，在该供电线的中途设置有用于阻止高频电力进入的滤波部；插设在所述供电线的中途、在吸附所述被处理体时被闭合的吸盘用开关部；为了检测在所述等离子体处理时施加在所述载置台上的直流成分而被连接在所述载置台上的直流成分检测电路；和控制所述吸盘用开关部的开关控制部，所述滤波部不包括电阻元件而由电容元件和感应元件形成。

权利要求11的发明是权利要求1～10中任一项的发明，其特征在于：所述直流高压电源能够施加能够被切换的多种直流电压，还包括：设置在所述供电线的中途、用于监视所述吸盘电极侧的电位的电位监视部；和电源控制部，对所述直流电源进行控制，使得在所述吸盘用开关部被闭合时施加所述多种直流电压中的电压高的第一直流电压，并且在所述电位监视部的检测值为规定的值时切换为电压低的第二直流电压进行施加。

权利要求12的发明是权利要求11的发明，其特征在于：所述直流高压电源能够施加能够切换的多种直流电压，还包括控制所述直流高压电源的电源控制部，所述电源控制部进行控制，使得在所述吸盘用开关部被闭合时，最初施加所述多种直流电压中的电压高的第一直流电压，在经过了规定的时间时切换为电压低的第二电压进行施加。

权利要求13的发明是权利要求1～10中任一项的发明，其特征在于：所述规定的时问是，开始向所述吸盘电极施加所述直流电压之后至所述吸盘电极的电位达到额定电压为止的期间以下的长度。

权利要求14的发明是权利要求11～13中任一项的发明，其特征在于：所述第一直流电压被设定为比所述吸盘电极的额定电压高，所述第二直流电压被设定为所述额定电压。

权利要求15的发明是权利要求11～14中任一项所述的发明，其特征在于：所述直流高压电源的输出电压被做成可变，使得能够输出所述第一直流电压和所述第二直流电压。

权利要求16的发明是权利要求1～14中任一项所述的发明，其特征在于：所述直流高压电源具有输出所述第一直流电压的第一电源部和输出所述第二直流电压的第二电源部。

权利要求17的发明是权利要求1～16中任一项所述的发明，其特征在于：所述被处理体是绝缘物。

权利要求18的发明是一种等离子体处理装置，对被处理体进行规定的等离子体处理，其特征在于，包括：能够被真空排气的处理容器；用于向所述处理容器内导入必要的气体的气体导入机构；对所述处理容器内进行真空排气的排气机构；和用于在所述处理容器内载置所述被处理体的、权利要求1～17中任一项所述的载置台机构。

权利要求19的发明是权利要求18的发明，其特征在于：所述气体导入机构包括喷淋头部，由该喷淋头部和所述载置台机构的载置台形成平行平板型的上部电极和下部电极。

权利要求20的发明是权利要求19所述的发明，其特征在于：在所述载置台上连接有高频电源。

权利要求21的发明是权利要求18～20中任一项所述的发明，其特征在于：在所述喷淋头部连接有第二高频电源。

权利要求22的发明是权利要求18～21中任一项所述的发明，其特征在于：所述被处理体是半导体基板或绝缘物基板。

权利要求23的发明是一种向设置在载置台的静电吸盘施加电压的方法，该载置台在能够进行真空排气的处理容器内载置被实施等离子体处理的被处理体，并且能够被施加高频电压，所述方法的特征在于：在所述静电吸盘的吸盘电极上，施加多种直流电压中的电压高的第一直流电压，并且在施加所述第一直流电压的同时、或在施加之前使所述载置台接地，从施加所述第一直流电压开始经过规定时间时，切换为电压比所述第一直流电压低的第二直流电压进行施加，从切换为所述第二直流电压开始经过了规定时间时切断所述载置台的接地，在切断所述载置台的接地之后，向所述载置台施加高频电压。

权利要求24的发明是权利要求23所述的发明，其特征在于：从施加所述第一直流电压开始的所述规定的时间被预先确定。

权利要求25的发明是权利要求23所述的发明，其特征在于：从施加所述第一直流电压开始的所述规定的时间是，在开始向所述吸盘电极施加所述第一直流电压之后至所述吸盘电极的电位达到额定电压为止的期间以下的长度。

权利要求26的发明是权利要求23～25中任一项所述的发明，其特征在于：从切换为所述第二直流电压开始的所述规定的时间是，至所述载置台的电位稳定为止的时间。

采用本发明的载置台机构、使用该载置台机构的等离子体处理装置和向静电吸盘施加电压的方法，能够发挥如下的优越作用效果。

根据本发明，在载置台机构中，在闭合吸盘用开关部向吸盘电极施加直流电压时，闭合使直流成分检测电路旁通而使载置台接地的旁路用开关部，而且，在打开吸盘用开关部而切断施加在吸盘电极上的直流电压时也闭合使直流成分检测电路旁通而使载置台接地的旁路用开关部，因此，能够减小在向吸盘电极施加直流电压时和切断施加在吸盘电极上的直流电压时的吸盘等效电路的时间常数，其结果是，使对吸盘电极的电荷的蓄积和电荷的释放各自迅速地进行，能够提高产品的生产率、提高处理能力。

附图说明

图1是表示使用了本发明的载置台机构的等离子体处理装置的第一实施方式的结构图。

图2是表示吸盘用开关部和旁路用开关部的切换时机、与吸盘电极的电位和高频电力的施加的时机的关系的时序图。

图3是表示载置台机构的静电吸盘上的相对于直流电压的吸盘等效电路的图。

图4是表示吸盘电极的电位变化的图。

图5是表示本发明的载置台机构的第二实施方式的主要部分的结构图。

图6是表示本发明的载置台机构的第三实施方式的主要部分的结构图。

图7是表示本发明的载置台机构的第四实施方式的主要部分的结构图。

图8是表示本发明的载置台机构的第五实施方式的主要部分的结构图。

图9是表示从开始向吸盘电极施加电压到达到设定电压为止的时间和载置台面积的关系的图。

图10是表示本发明的载置台机构的第六实施方式的主要部分的结构图。

图11是表示在向吸盘电极施加直流电压之后的作为电位监视部的点P1的电位的变化的图表。

图12是表示各开关部的切换的时机与电位监视部的电压和吸盘施加电压的变化的时序图。

图13是用于说明第六实施方式中的动作的流程图。

图14是表示本发明的载置台机构的第七实施方式的主要部分的结构图。

图15是表示直流高压电源的变形例的图。

图16是表示现有的等离子体处理装置的一例的结构图。

符号的说明

46  电容器(电容元件)

50    等离子体处理装置

52    处理容器

60    排气机构

68    喷淋头部(气体导入机构)

80    载置台机构

84    载置台

86    静电吸盘

92    高频电源

94    检测线

96    直流成分检测电路

98    高频切断用线圈

100   第一电阻

102   第二电阻

108   旁路线

110   旁路用开关部

112   开关控制部

114   吸盘电极

116   供电线

118   滤波部

120   直流高压电源

122   高频切断用线圈(感应元件)

124   吸盘用开关部

126   装置控制部

130   高频切断用线圈(感应元件)

150   电位监视部

152   电源控制部

154A  第一电源部

154B  第二电源部

156   开关部

W     玻璃基板(被处理体)

具体实施方式

以下，根据附图对本发明的载置台机构、使用该载置台机构的等离子体处理装置和向静电吸盘施加电压的方法的一个优选实施方式进行详细说明。

(第一实施方式)

图1是表示使用了本发明的载置台机构的等离子体处理装置的第一实施方式的结构图。在此，作为等离子体处理，以对玻璃基板进行等离子体蚀刻处理的情况为例进行说明。

如图1所示，该等离子体处理装置50具有例如由铝合金构成的处理容器52，该处理容器52接地。在该处理容器52的侧壁上形成有用于使被处理体W通过的开口54，在该开口54上安装有将其气密地开闭的闸阀56。

此外，在处理容器52的底部的周边设置有排气口58，在该排气口58上设置有对处理容器52内进行真空排气的排气机构60。具体而言，该排气机构60具有与上述排气口58连接的排气线路62，在该排气线路62上依次插设有压力调整阀64和真空泵66，能够对处理容器52内抽真空、并且维持在规定的压力。

此外，在处理容器52的顶部，作为向该处理容器52内导入必要的气体的气体导入机构，设置有例如由铝合金构成的喷淋头部68。在该喷淋头部68的上部设置有气体入口70，在该气体入口70上，经由气体线路72连接有气体源74。而且，在该气体线路72的中途插设有如质量流量控制器那样的流量控制器76，用以控制流量并流通必要的气体例如蚀刻气体。

在上述喷淋头部68的下表面的气体喷射面上，形成有多个气体喷出孔78，用以向其下方的处理空间S供给上述被供给的气体。而且，在该处理容器52内，以和上述喷淋头部68对置的方式设置有本发明的载置台机构80。

具体而言，该载置台机构80主要包括例如由铝等导电材料构成的载置台84和设置在其上表面侧的静电吸盘86，其中，载置台84隔着例如由氧化铝等陶瓷材料构成的绝缘材料82设置在处理容器52的底部。而且，在该静电吸盘86上，作为被处理体载置例如液晶显示装置用的玻璃基板W，能通过静电力吸附该玻璃基板W。在此，上述玻璃基板W的大小设定为例如纵横各为3m×3m左右的大小，是非常大的尺寸。在此，作为上述导电材料，除了例如铝等金属之外，还能够使用不锈钢等合金、碳、以及它们的复合材料等。

这样，上述喷淋头部68和载置台84被对置地配置，分别构成上部电极和下部电极而成为平行平板型的等离子体电极。具体而言，在上述载置台84上，连接有高频线88，在该高频线88上依次插设有匹配电路90和例如13.56MHz的高频电源92，通过高频电力产生等离子体。

此外，在上述载置台84上，经由检测线94设置有直流成分检测电路96。而且，也可以使该检测线94在匹配电路90的下游侧分支而设置，其中，匹配电路90设置在上述高频线88上。该直流成分检测电路96在上述检测线94上依次串联地连接高频切断用线圈98、第一电阻100和第二电阻102而构成，在上述高频切断用线圈98和第一电阻100的连接点处分出电容器104，并将该电容器104的另一端接地。而且，通过使用测定部106测定上述第二电阻102的电压降，能够检测并识别等离子体处理中的载置台84的直流成分。

而且，通过上述高频切断用线圈98和电容器104切断来自载置台84的高频电力。此外，该直流成分检测电路96还具有用于在等离子体处理结束而停止施加高频电力时将被充电到吸盘电极86和载置台84的电荷释放的功能。

而且，在上述检测线94上，设置有作为本发明的特征的旁路线108，将该检测线94的上述直流成分检测电路96的上游侧和下游侧连接。而且，在该旁路线108的中途设置有旁路用开关部110，在必要时，即如后所述，在接通、断开向静电吸盘86施加的直流电压时，闭合该旁路用开关部110，使得上述载置台84直接接地而不通过电阻和线圈。该旁路用开关部110的开闭动作的控制通过开关控制部112进行。

此外，上述静电吸盘86将吸盘电极114埋入由聚酰亚胺类树脂或陶瓷构成的板状绝缘材料的内部而构成。而且，从该吸盘电极114延伸出供电线116，在该供电线116上，经由用于阻止高频电力进入的滤波部118，连接有直流高压电源120。

而且，通过将产生自该直流高压电源120的高的直流电压施加在上述吸盘电极114上，使得以静电力吸附该静电吸盘86上的玻璃基板W。该直流高压电源120的输出电压例如为3kV左右，但是并不限定于此。在此，上述滤波部118由感应元件、即高频切断用线圈122构成。

而且，通过该高频切断用线圈122，能够阻止施加在载置台84上的高频电力绕入直流高压电源120。此外，在该供电线116的滤波部118的下游侧，设置有用于接通、断开直流高压电源120的吸盘用开关部124。

该吸盘用开关部124的开闭动作的控制也由上述开关控制部112进行。此外，通过由计算机构成的装置控制部126进行该等离子体处理装置50的动作整体的控制，例如处理压力的控制、供给气体的供给开始、供给停止的控制、高频电力施加的控制、相对于开关控制部112的各开关部的开闭动作的指示等。此外，进行该动作控制所需的计算机能够读取的计算机程序被存储在存储介质128中。该存储介质128由软盘、CD(Compact Disc：光盘)、CD-ROM、硬盘、闪速存储器或DVD等构成。另外，虽然未图示，但是在上述载置台机构80上设置有在搬出搬入被处理体时接收被处理体的未图示的升降销。

接着，参照图2和图3对使用以上述方式构成的等离子体处理装置50进行的等离子体蚀刻处理进行说明。图2是表示吸盘用开关部和旁路用开关部的切换的时机与吸盘电极的电位以及高频电力的施加的时机的关系的时序图，图3是表示载置台机构的静电吸盘中的相对于直流电压的吸盘等效电路的图。

首先，对整体的流程进行说明，将作为被处理基板的玻璃基板W经打开的闸阀56和开口54搬入处理容器52内，通过升降未图示的升降销将其载置在载置台84上，将处理容器52内密封。

然后，当玻璃基板W被载置在载置台84上时，闭合上述吸盘用开关部124，从上述直流高压电源120向静电吸盘86的吸盘电极114施加较高的直流电压，在该吸盘电极114上充分地蓄积电荷，利用静电力稳定地吸附玻璃基板W。在此，在闭合上述吸盘用开关部124时，也使旁路用开关部110仅在规定期间处于闭合状态。接着，在进行吸附之后，由高频电源92施加高频电力，并且从喷淋头部68流出规定的气体如蚀刻气体，通过上述高频电力在处理空间S生成等离子体，利用等离子体进行蚀刻处理。

此外，在等离子体处理中，通过在处理空间S生成的等离子体的作用而产生电位，由于该电位而在检测线94中流动电流，该电位经过直流成分检测电路96的线圈98、第一电阻100和第二电阻102流入接地侧。而且，通过以测定部106测定电流在上述第二电阻102中流动时发生的电压降，检测载置台84的直流电压。

此外，此时，通过上述线圈98和电容器104的作用，阻止施加在载置台84上的高频电力转入而流到直流成分检测电路96侧。此外，同样地，通过设置在供电线116上的高频切断用线圈122的作用，阻止施加在载置台84上的高频电力转入而流到直流成分检测电路120侧。

然后，在上述蚀刻处理结束时，停止供给蚀刻气体，并且切断施加在载置台84上的高频电力。进一步，打开上述吸盘用开关部124，切断施加在静电吸盘86的吸盘电极114上的高的直流电压，并且，通过直流成分检测电路96将蓄积在吸盘电极114和载置台84上的电荷充分地放电。在此，在打开上述吸盘用开关部124时，使旁路用开关部110仅在规定的期间处于闭合状态。然后，在所蓄积的电荷的放电结束之后，取出上述玻璃基板。

在此，在现有的等离子体处理装置中，在闭合图16所示的吸盘用开关部45向吸盘电极34施加较高的直流电压时，至在吸盘电极34和载置台10上蓄积电荷而产生足够的静电力为止所需的时间(电荷蓄积时间)较长，此外，为了结束等离子体处理而至打开吸盘用开关部45将蓄积在吸盘电极34和载置台10中的电荷充分地放电为止所需的时间(电荷放电时间)也较长，但是在使用本发明的等离子体处理装置50的情况下，能够大幅度缩短上述电荷蓄积时间和电荷放电时间。

即，在将吸盘用开关部124从打开状态切换为闭合状态时和从闭合状态切换为打开状态时，将设置在旁路线108上的旁路用开关部110仅在规定期间维持在闭合状态，使载置台84直接接地而不经由包含电阻成分的上述直流成分检测电路96，使吸盘等效电路的电阻成分尽量小。具体而言，上述开关控制部112进行控制，使得在将上述吸盘用开关部124切换为闭合状态时，与该切换同时或在切换之前，将上述旁路用开关部110切换为闭合状态。

此外，上述开关控制部112进行控制，使得在将上述吸盘用开关部124切换为打开状态时，与该切换同时或在切换之前，将上述旁路用开关部110切换为闭合状态。其结果是，吸盘等效电路的时间常数变小，相应地，能够迅速地对吸盘电极114和载置台84进行电荷蓄积和电荷放电。此外，开关控制部112进行控制，使得在上述吸盘用开关部124从打开状态切换至闭合状态、或从闭合状态切换至打开状态之后，在经过了规定的时间时将旁路用开关部110从闭合状态切换为打开状态。

在此，参照图2，对吸盘用开关部124和旁路用开关部110的切换的时机、吸盘电极114的电位和施加高频电力的时机的关系进行说明。如图2所示，在将图2(A)所示的吸盘用开关部124从打开状态切换为闭合状态时和从闭合状态切换为打开状态时，如图2(B)所示，以跨过其切换点的方式将旁路用开关部110维持在闭合状态，通过使直流成分检测电路96旁通，使此时的吸盘等效电路的时间常数小。

在此情况下，可以在切换吸盘用开关部124的开闭的同时将旁路用开关部110切换为闭合，但是在将吸盘用开关部124切换为闭合之后，至少在规定的时间T1维持上述旁路用开关部110的闭合状态，至在吸盘电极114和载置台84上充分蓄积电荷而使静电力稳定为止(参照图2(C))。该规定的时间T1与吸盘电极114的面积相关，为几秒至十几秒。

此外，在现有的装置例中，通过向吸盘电极114进行充电而蓄积电荷，载置台84的电位随之变动，在此状态下如果施加高频电压，则有发生异常放电的危险，但在本实施方式中，因为在施加高频电压之前，旁路用开关部110被闭合而接地，所以能够将载置台84的电位稳定在接地电位，而且，因为是在此状态施加高频电压，所以能够抑制异常放电的发生。

此外，同样，在将吸盘用开关部124切换为打开之后，至少在规定的时间T2维持上述旁路用开关部110的闭合状态，至蓄积在吸盘电极114和载置台84上的电荷被充分地放电为止(参照图2(C))。该规定的时间T2与吸盘电极114的面积相关，为几秒至十几秒。而且，如图2(D)所示，高频电力在静电力稳定之后被施加在载置台84上。此外，在等离子体处理中，旁路用开关部110处于打开状态，直流成分检测电路96发挥作用，测定载置台84的直流电压。

在此，参照图3和图4，对上述吸盘用开关部124开闭时(旁路用开关部110也为闭合状态)的吸盘等效电路进行说明。图3是表示载置台机构的静电吸盘上的相对于直流电压的吸盘等效电路的图，图4是表示吸盘电极的电位的变化的图。

如图3所示，为吸盘用开关部124开闭时(旁路用开关部110也处于闭合状态)的直流高压电源120的电动势E、电阻成分R和电容成分C的串联电路。在此，因为直流成分检测电路96被旁通，所以电阻成分R实质上只是设置在供电线116上的高频切断用线圈122的电阻成分，非常小。此外，电容成分C取决于吸盘电极114的面积和载置台84的上表面的面积，由于依赖于装置的大小，所以一旦装置的尺寸被决定则固定不变。

图4(A)表示将吸盘用开关部124从打开向闭合切换时的状态，图4(B)表示将吸盘用开关部124从闭合向打开切换时的状态。而且，为了参考，在图4中，用虚线表示使用现有的等离子体处理装置的情况。

在此，吸盘电极114的电位e(t)由以下的式子确定。

e(t)＝E[1-e^(-t/RC)]

此处，e表示自然对数(exp)，RC表示时间常数，t表示时间。

如上所述，与现有的等离子体处理装置相比，因为电阻成分R变得非常小，所以时间常数“RC”变得非常小。因此，如图4(A)和图4(B)所示，在本发明的情况下，至稳定为止的过渡时间非常短。

将吸盘电极的大小设定为纵横3m×3m进行模拟，结果是，在现有的装置的情况下，至稳定为止的时间L1为60秒左右，与此相对，在本发明的情况下，至稳定为止的时间L2为10秒左右，可以确认为能够缩短电荷蓄积时间和电荷放电时间。

而且，在图16所示的现有的等离子体处理装置中，电阻成分为第一电阻26、第二电阻28、电阻44、和线圈24、42的电阻成分，其数值与本发明的情况相比是非常大的值。此外，因为装置被设定为相同的尺寸，所以本发明的装置和现有的装置的电容成分C相同。

这样，在本发明的载置台机构80中，在闭合吸盘用开关部124向吸盘电极114施加直流电压时，闭合使直流成分检测电路96旁通而使载置台84接地的旁路用开关部110，而且，在打开吸盘用开关部124而切断施加在吸盘电极114上的直流电压时，也闭合使直流成分检测电路96旁通而使载置台84接地的旁路用开关部110，因此，能够减小在向吸盘电极114施加直流电压时和切断施加在吸盘电极114上的直流电压时的吸盘等效电路的时间常数，其结果是，能够使对吸盘电极114的电荷的蓄积和电荷的释放各自迅速地进行，能够提高产品的生产率、提高处理能力。

此外，因为用于阻止高频电力进入直流高压电源120的滤波部118只由作为感应元件的高频切断用线圈122构成，所以与现有的等离子体处理装置相比较，能够相应地减小吸盘等效电路中的电阻成分R(参照图3)，从而进一步减小时间常数，其结果是，能够缩短电荷蓄积时间和电荷放电时间，进一步提高处理能力。

(第二实施方式)

接着，说明本发明的载置台机构的第二实施方式。图5是表示本发明的载置台机构的第二实施方式的主要部分的结构图。另外，对于与图1和图16所表示的结构部分相同的结构部分，标注相同的参照符号并省略其说明。

在上述第一实施方式中，连接在直流高压电源120上的滤波部118由作为感应元件的高频切断用线圈122构成，而且通过中间插设有旁路用开关部110的旁路线108使直流成分检测电路96在必要时旁通，但并不仅限于此，也可以与图16所示的现有的装置同样地构成上述滤波部118。

即，如图5所示，在此采用如下结构，与图16所示的滤波部38相同地，令滤波部118与高频切断用线圈42和电阻44串联连接，在两者的连接点处分出电容器46并使其另一端接地。

在此情况下，吸盘用开关部124和旁路用开关部110的开闭操作与对图2所作的说明的情况相同。在此第二实施方式的情况下，与上述第一实施方式的情况相同，也能够减小在向吸盘电极114施加直流电压时和切断施加在吸盘电极114上的直流电压时的吸盘等效电路的时间常数，其结果是，能够使对吸盘电极114的电荷的蓄积和电荷的释放各自迅速地进行，能够提高产品的生产率、提高处理能力。

不过，与第一实施方式的情况相比，在此第二实施方式的情况下，增加了滤波部118的直流成分(电阻44)，相应地，时间常数增大，其结果是，电荷蓄积时间和电荷放电时间比在第一实施方式的情况下稍欠迅速性。

(第三实施方式)

接着，说明本发明的载置台机构的第三实施方式。图6是表示本发明的载置台机构的第三实施方式的主要部分的结构图。另外，对于与图1、图5和图16所表示的结构部分相同的结构部分，标注相同的参照符号并省略其说明。

在之前的图5所示的第二实施方式中，滤波部118构成为和图16所示的现有的装置相同，但并不仅限于此，也可以如图6所示的那样，设置另外的高频切断用线圈130代替上述滤波部118中的电阻44。即，在这样的情况下，滤波部118由作为感应元件的高频切断用线圈42、130和作为电容元件的电容器46构成。在这样的情况下，利用两个高频切断用线圈42、130切断高频。

在此情况下，吸盘用开关部124和旁路用开关部110的开闭操作与对图2所作的说明的情况相同。在此第三实施方式的情况下，与上述第一实施方式和第二实施方式的情况相同，也能够减小在向吸盘电极114施加直流电压时和切断施加在吸盘电极114上的直流电压时的等效电路的时间常数，其结果是，能够使对吸盘电极114的电荷的蓄积和电荷的释放各自迅速地进行，能够提高产品的生产率、提高处理能力。

不过，与第二实施方式的情况相比，在此第三实施方式的情况下，减少了作为滤波部118的电阻成分的电阻44，相应地，时间常数减小，其结果是，电荷蓄积时间和电荷放电时间能够比第二实施方式的情况更短。

(第四实施方式)

接着，说明本发明的载置台机构的第四实施方式。图7是表示本发明的载置台机构的第四实施方式的主要部分的结构图。另外，对于与图1、图5、图6和图16所表示的构成部分相同的构成部分，标注相同的参照符号并省略其说明。

在上述第三实施方式中，连接在直流高压电源120上的滤波部118由作为感应元件的高频切断用线圈42、130和作为电容元件的电容器46构成，而且通过中途插设有旁路用开关部110的旁路线108使直流成分检测电路96在必要时旁通，但并不仅限于此，也可以如图7所示，不设置上述旁路线108和旁路用开关部110。

在此情况下，吸盘用开关部124的开闭操作与对图2所作的说明的情况相同，但是在此第四实施方式中不使用图2(B)所示的旁路用开关部110。在此第四实施方式的情况下，也与上述第一实施方式的情况相同，能够减小在向吸盘电极114施加直流电压时和切断施加在吸盘电极114上的直流电压时的等效电路的时间常数，其结果是，能够使对吸盘电极114进行的电荷的蓄积和电荷的释放各自迅速地进行，能够提高产品的生产率、提高处理能力。

不过，与第三实施方式的情况相比，在此第四实施方式的情况下，增加了直流成分检测电路96的直流成分(电阻100、102)，相应地，时间常数增大，其结果是，电荷蓄积时间和电荷放电时间比第三实施方式的情况稍欠迅速性。但是，在此第四实施方式的情况下，与图16所示的现有装置相比较，通过以高频切断用线圈130替换滤波部38的电阻44，相应地，电阻成分减少，因此，其结果为，能够缩短电荷蓄积时间和电荷放电时间。

(第五实施方式)

接着，说明本发明的载置台机构的第五实施方式。图8是表示本发明的载置台机构的第五实施方式的主要部分的结构图。另外，对于与图1所表示的结构部分相同的结构部分，标注相同的参照符号并省略其说明。

在上述第一～第四实施方式中，作为上部电极的喷淋头部68处于接地状态，但是并不仅限于此，也可以在该喷淋头部68上施加高频电力。作为代表，图8示出使用图1所示的装置在喷淋头部68上施加高频电力的情况的结构，但在此说明的结构，能够适用于第一～第四的所有的实施方式。即，如图8所示，在此，作为气体导入机构的喷淋头部68隔着绝缘部件134被安装在处理容器52的顶部。

而且，在此喷淋头部68上，连接有高频线136，在该高频线136的中途插设有匹配电路138，并在另一端连接有高频电源140。该高频电源140的频率能够使用例如450kHz等。其结果是，在此第五实施方式中，能够在作为上部电极的喷淋头部68和作为下部电极的载置台84这两者上，分别通过各自不同的电源施加高频电力。

在此情况下，吸盘用开关部124和旁路用开关部110的开闭操作与对图2所作的说明的情况相同。在此第五实施方式的情况下，与上述第一实施方式的情况相同，也能够减小在向吸盘电极114施加直流电压时和切断施加在吸盘电极114上的直流电压时的等效电路的时间常数，其结果是，能够使对吸盘电极114进行的电荷的蓄积和电荷的释放各自迅速地进行，能够提高产品的生产率、提高处理能力。另外，在此第五实施方式中，也可以不设置连接在载置台84上的高频电源92(也包括匹配电路90)而将其省略。

(对吸盘电极的电位变化的评价)

在此，针对从开始向吸盘电极114施加电压之后到吸盘电极114达到设定电压为止的时间，使吸盘电极的面积(载置台的面积)变化而进行了模拟，以下对该模拟的评价结果进行说明。

图9是表示从开始向吸盘电极施加电压至达到设定电压为止的时间和载置台面积的关系的图。在此，作为评价的对象，列举了图1所示的第一实施方式(使滤波电阻变更为线圈、并且使直流成分检测电路旁通)、图5所示的第二实施方式(使直流成分检测电路旁通)和图7所示的第四实施方式(使滤波电阻变更为线圈)。此外，作为比较例，对图16所示的现有装置也进行了评价。

图9(A)表示从开始向吸盘电极施加电压至达到设定电压为止的达到时间，图9(B)表示以现有装置的达到时间为基准时的各达到时间的缩短比例。在此，使载置台面积(吸盘电极面积)在0.2m²～8.7m²之间进行各种变化。另外，将对吸盘电极114施加的电压设定为3000V。

如图9(A)所示，如果从0.2m²到8.7m²顺次增大地设定载置台面积，则达到设定电压为止的达到时间也逐渐变长。这是因为在吸盘电极和载置台之间形成的电容成分逐渐变大。

在此，对载置台面积相同的情况下的各实施方式进行研究，在例如载置台面积为8.7m²的情况下，第一实施方式中的达到时间为13.5sec，第二实施方式中的达到时间为29.5sec，第四实施方式中的达到时间为44.3sec，比较例为58.3sec。因此，能够理解为，达到时间的缩短效果良好的顺序为，第一实施方式、第二实施方式和第四实施方式的顺序，其中，第一实施方式为最好。在载置台面积为0.2m²～8.7m²的所有的情况下都是如此。

在此，如图9(B)所示，如果着眼于以现有装置的达到时间为基准的各达到时间的缩短比例，则与载置台面积无关，在各实施方式中为一定的。即，第一实施方式的缩短比例与载置台面积无关，为23～25％，第二实施方式的缩短比例与载置台面积无关，为51～53％，第四实施方式的缩短比例与载置台面积无关，为76～78％。

因此，如上所述，因为达到时间的缩短比例与载置台面积(吸盘电极面积)无关而大致一定，所以越是载置台面积大的等离子体处理装置，被缩短的时间越多。其结果是，能够理解为，如果将本发明应用于对纵横例如为3m×3m左右大小这样的大面积的玻璃基板进行等离子体处理这样的等离子体处理装置，则能够非常大幅地提高上述达到时间的缩短效果。

(第六实施方式)

接着，说明本发明的载置台机构的第六实施方式。图10是表示本发明的载置台机构的第六实施方式的主要部分的结构图。另外，对于与之前的实施方式相同的结构部分，标注相同的参照符号并省略其说明。

在以上的各实施方式中，直流高压电源120的输出电压恒定，例如为3kV，但是并不限定于此，也可以使得能够施加能够切换输出的多种直流电压。而且，在吸盘电极114上蓄积电荷的情况下，也可以首先施加电压高的直流电压，在经过一段时间之后进行切换，施加通常的电压低的直流电压，以这样的方式，迅速地进行对吸盘电极的电荷的蓄积(充电)。

图10表示这样的第六实施方式的主要部分。如图10所示，在该第六实施方式中，直流高压电源120能够输出能够切换的多种直流电压进行施加。在此，该直流高压电源120例如其输出电压能够变化，例如能够在3kV～5kV的范围内输出各种电压的直流电压。具体而言，在此，如后所述，使用作为吸盘电极114的通常施加时的额定电压的3kV和比这更高的电压5kV。

此外，在此第六实施方式中，在供电线116的中途、并在由电阻元件160构成的滤波部118和吸盘用开关部124之间，具有用于检测吸盘电极114侧的电位的电位监视部150、和根据该电位监视部150的输出值控制上述直流高压电源120的电源控制部152。

上述电位监视部150由电阻元件等形成，因为难以直接检测吸盘电极114的电位，所以，在此插设在滤波部118和吸盘用开关部124之间的供电线116上。因此，该电位监视部150的检测值，会无法避免地发生误差，该误差量为在其下游侧(吸盘电极114侧)的滤波部118上的电压降的量。另外，虽然在实际的装置中需要大的设计变化，但也可以在比滤波部118更靠向下游侧的供电线116的中途设置该电位监视部150，在这种情况下，能够消除滤波部118的电压降的误差量。

此外，当吸盘用开关部124被闭合时，上述电源控制部152从上述开关控制部112接收其确认的信号，并在从上述电位监视部150送来的检测值达到规定的值时，从电压高的第一直流电压例如5kV切换为电压低的第二直流电压例如3kV，并进行输出。

接着，对上述第六实施方式的动作进行说明。首先，在说明具体的动作之前，对电位的变化进行说明，其中，该电位是指，在吸盘电极114上最初施加高电压、之后切换为低电压时的上述电位监视部150的电位，即图10中的点P1处的电位。图11是表示向吸盘电极施加直流电压之后的作为电位监视部的点P1的电位的变化的图表，在图11(A)中，以实线表示施加了3kV的恒定的直流电压的情况下的变化，在图11(B)中，以实线表示仅在最初的很短的期间施加5kV的直流电压、之后切换为3kV进行施加的情况下的变化。在此，作为吸盘电极114的特性，其大小为纵横3m×3m，额定电压为3kV。此外，在图11中，以单点划线表示吸盘电极114的电位的经验预测值。

如图11(A)所示，在吸盘电极114上从最初开始以3kV施加了恒定的直流电压的情况下，随着在吸盘电极114上的电荷的蓄积，点P1的电位随着其电路的时间常数而逐渐上升，经过一定程度的时间后达到3kV并稳定下来。在此，达到和吸盘电极114的额定电压相同的3kV为止所需要的时间为15sec左右。另外，施加电压同样为3kV，在吸盘电极114的大小为2.2m×2.5m的情况下为9.8sec，大小为2.0m×2.3m的情况下为8.0sec。

与此相对，如图11(B)所示，仅在最初的规定的期间T4向吸盘电极114施加5kV、即比吸盘电极114的额定电压高的电压的直流电压(第一直流电压)，然后，经过一段时间之后，施加3kV、即电压低的直流电压(第二直流电压)，在这样的情况下，点P1的电位比图11(A)的情况更急速地上升，而且，在即将切换之前达到例如4kV左右的峰值，经过规定的期间T4切换为低电压，由此，点P1的电位经过峰值之后逐渐降低，达到3kV并稳定。

在此，着眼于吸盘电极114的电位，可知，当点P1的电位为4kV左右时，吸盘电极114的电位达到作为额定电压的3kV，此时，通过切换为3kV的直流电压，能够将吸盘电极114的电位保持在3kV不变。在此第六实施方式中，使用如上所述的特性，更迅速地使吸盘电极114的电位上升。

接着，对使用上述图11所示的特性的该第六实施方式的动作进行说明。图12是表示各开关部的切换的时刻与电位监视部150的电压、吸盘施加电压的变化的时序图，图13是用于说明第六实施方式中的动作的流程图。

在图12中，图12(A)的吸盘用开关部124的开闭动作、旁路用开关部110的开闭动作、图12(C)的吸盘电极114的电位、图12(D)的高频电力的施加状况，分别与图2所示的情况相同。而且，图12(E)表示由电位监视部150检测出的电位，图12(F)表示由直流高压电源120输出的吸盘施加电压。

首先，开关控制部112通过闭合设置在旁路线108的中途的旁路用开关部110，使载置台84接地(S1)。接着，开关控制部112通过闭合设置在供电线116的中途的吸盘用开关部124，开始从直流高压电源120对吸盘电极114施加第一直流电压、即电压高的直流电压5kV(S2)。此外，也可以同时进行步骤S1和步骤S2。

从这一时刻开始，进入如之前在图11中所说明的状态。即，通过施加5kV，对吸盘电极114迅速地进行充电，其电位急剧地上升。另外，开关控制部112在闭合吸盘用开关部124时，将该主旨通知电源控制部152，这是为了防止电源控制部152的误动作。

接着，由设置在供电线116的中途的电位监视部150检测出的电位被输入电源控制部152，该电源控制部152判断由上述电位监视部150检测出的电位是否达到预先确定的规定值、例如4kV，并待机至达到4kV(S3的NO)，此处如果已达到4kV(S3的YES)，则控制直流高压电源120，从第一直流电压(5kV)切换为比其低的电压即第二直流电压(3kV)进行施加(S4)。该3kV是吸盘电极114的额定电压。此时的吸盘电极112的电位，如图11所说明的那样为额定电压的3kV左右，因此，能够更迅速地充电至额定电压。

此外，在此，施加5kV的直流电压的期间T4，如图11所说明的那样，结果为4sec左右。其中，4sec的时间当然要根据静电吸盘86的大小和第一直流电压的大小等而变化。

这样，在切换为第二直流电压之后，在直到载置台84上的电位稳定为止的规定的时间T5、例如5～10sec左右的期间(S5的NO)待机，如果已进行上述规定的时间T5的待机(S5的YES)，则接着令旁路用开关部110为打开状态，切断载置台84的接地(S6)。上述规定的时间T5是指，如上所述，至上述载置台84的电位稳定为止所需要的时间。然后，接着向载置台84施加来自高频电源92的高频电压(S7)，进行等离子体处理。

这样，在此第六实施方式中，在将电荷蓄积(充电)在吸盘电极114上时，最初施加电压高的第一直流电压(例如5kV)，然后，经过一段时间之后，施加电压比上述第一直流电压低的第二直流电压(例如3kV)，因此，能够更迅速地进行向吸盘电极114的充电。在图12(C)中，以单点划线表示图2(C)的情况的吸盘电极114的电位的变化，与图2(C)的情况相比，完成向吸盘电极114的充电能够加快10sec左右。另外，此第六实施方式除了未设置旁路线108的图7的第四实施方式之外，对之前的第一～第三和第五的所有实施方式都能应用。

(第七实施方式)

接着，说明本发明的载置台结构的第七实施方式。图14是表示本发明的载置台结构的第七实施方式的主要部分的结构图。另外，对于和之前的第六实施方式相同的结构部分，标注相同的参照符号并省略其说明。

在图10所示的第六实施方式中，在供电线116的中途设置有电位监视部150，参照该检测值，电源控制部152进行施加的直流电压的切换，但是，不仅限于此，在此第七实施方式中，在令上述吸盘用开关部124为闭合状态之后计测时间，在经过了一定的时间时切换施加的直流电压。

即，如图14所示，在此，在供电线116上未设置如在图10中所设置的电位监视部150，代之使电源控制部152具有定时器功能(未图示)，将从开关控制部112接受到已闭合吸盘用开关部124的主旨的信号的时间作为起点，利用上述的定时器功能测定经过的时间。然后，对该定时器功能的计测时间已经过规定的时间的情况作出响应，该电源控制部152对直流高压电源120发出指令，使其从第一直流电压(5kV)切换为第二直流电压(3kV)进行输出。

在此，用于上述切换的规定的时间是指，从开始向吸盘电极114施加第一直流电压后到该吸盘电极114的电位达到额定电压为止的期间以下的长度。在此，如从图11所示的图表所求的那样，上述规定的期间被设定为例如4sec。通过由感应元件构成滤波部118，该4sec的时间能够进一步缩短，如前所述，其根据吸盘电极114的大小和第一直流电压的大小等而变化，此外，上述规定的时间的设定也可变。

该第七实施方式的动作，在图13所示的第六实施方式的流程图的步骤S3中，取代电位监视部150的检测值的判断，在闭合吸盘用开关部124之后判断“是否经过了规定的时间？”，除此点不同之外，第七实施方式的动作的其它各步骤与图13所示的流程图相同。此外，各开关部的切换时机和各电压的变化的状态也与图13所示的时序图相同。另外，此第七实施方式除了未设置旁路线108的图7的第四实施方式之外，对之前的第一～第三和第五的所有的实施方式都能够应用。

但是，在图10和图14所示的第六、第七实施方式中，作为直流高压电源120使用了能够使输出电压发生变化的可变电源，但是也可以替代它，如图15所示的直流高压电源的变形例那样，并联设置第一电源部154A和第二电源部154B，其中，第一电源部154A输出第一直流电压、例如5kV，第二电源部154B输出第二直流电压、例如3kV，通过由电源控制部152控制的开关部156对这两个电源部154A、154B的输出进行切换。当然，在此，上述的5kV和3kV分别只是表示一个例子，这些数值不被限定。

此外，在上述图10和图14所示的第六实施方式和第七实施方式中，为了使本发明容易理解，将开关控制部112和电源控制部152作为两个部件分别设置，但是，当然也可以将它们设置为一体。

另外，在以上的各实施方式中，作为等离子体处理，以等离子体蚀刻处理为例进行了说明，但是，能够将本发明应用于具备静电吸盘并通过高频电力生成等离子体而进行等离子体处理的所有等离子体处理装置中。此外，在以上的各实施方式中，在载置台84上未设置加热机构，但也可以在该载置台84上设置例如电阻加热器作为加热机构，将被处理体加热至规定的温度。

此外，此处，作为被处理体，以作为绝缘物的液晶显示装置用的玻璃基板为例进行了说明，但是并不仅限于此，也能够在陶瓷基板等其它绝缘物的基板或半导体晶片(半导体基板)上应用本发明。