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用于扩大焦深参数工艺窗口的掩膜版、反掩膜版及其曝光方法

摘要

一种用于扩大焦深参数工艺窗口的掩膜版、反掩膜版及其曝光方法,属于光刻技术领域。该发明提出一种在图形稀疏区增加哑元图形使图形稀疏区和图形密集区的图形密度均匀的掩膜版,并以该掩膜版进行第一次曝光;同时提供其相应的用于对哑元图形区域进行补偿曝光的反掩膜版,并以该反掩膜版进行第二次曝光。该掩膜版、反掩膜版及其曝光方法的结合运用,能扩大焦深参数工艺窗口。

著录项

  • 公开/公告号CN101571670A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-11-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN200910049637.9

  • 申请日2009-04-21

  • 分类号G03F1/14;G03F7/20;H01L21/02;

  • 代理机构上海智信专利代理有限公司;

  • 代理人王洁

  • 地址 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2023-12-17 22:53:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-16

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F1/14 申请公布日:20091104 申请日:20090421

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-12-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-11-04

    公开

    公开

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