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使用临场光罩匹配离子注入装置的性能的技术

摘要

一种使用临场光罩匹配离子注入装置的性能的技术。在一特定实施例中,在基板的一部份上执行离子注入,同时屏蔽剩余部份。再将该基板移动到第二注入器工具。随后使用该第二工具在同一基板的另一部份上执行注入,同时光罩覆盖包括第一部份在内的基板的剩余部份。在第二注入工艺之后,对在第一和第二部份上制造的半导体装置执行参数测试,以便确定这些半导体装置的一个或多个性能特征是否存在变化。如果发现变化,则建议对注入工具之一的一个或多个操作参数进行改变,以便降低制造工厂中的注入器的性能变化。

著录项

  • 公开/公告号CN101563752A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-10-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瓦里安半导体设备公司;

    申请/专利号CN200780043822.6

  • 发明设计人 彼得·D·纽南;布雷特·W·亚当斯;

    申请日2007-10-16

  • 分类号H01J37/317;

  • 代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司;

  • 代理人臧建明

  • 地址 美国麻萨诸塞州

  • 入库时间 2023-12-17 22:53:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-01-08

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J37/317 申请公布日:20091021 申请日:20071016

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-12-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-10-21

    公开

    公开

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