公开/公告号CN101552201A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-10-07
原文格式PDF
申请/专利权人 卓联半导体(美国)公司;
申请/专利号CN200910129903.9
发明设计人 T·J·克鲁特西克;C·J·斯派尔;
申请日2009-04-01
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人申发振
地址 美国得克萨斯
入库时间 2023-12-17 22:44:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-11-07
专利权的视为放弃 IPC(主分类):H01L21/331 放弃生效日:20091007 申请日:20090401
专利权的视为放弃
2009-12-02
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-10-07
公开
公开
机译: 在集电极和/或发射极区下方具有反掺杂注入区的横向双极晶体管的使用和形成方法
机译: 双极晶体管的反掺杂集合体区域的方法
机译: 双极晶体管的反掺杂集合体区域的方法