6H－SiC基底反极性AlGaInP LED芯片

摘要

本发明公开了一种6H－SiC基底反极性AlGaInP LED芯片及其制作工艺。反极性AlGaInPLED芯片包括基底和基底上的外延层，以6H－SiC材料作为基底，外延层由上至下依次为N型AlGaInP层、发光层、P型AlGaInP层、P型GaP层和金属反射层及粘结层，在N型AlGaInP层上设置N型电极，在6H－SiC基底的底面或金属反射层及粘结层上设置P型电极。其制作工艺是在6H－SiC表面上蒸镀一层金属反射及粘接层，将外延层与6H－SiC基底粘接在一起，再用选择腐蚀的方法将原GaAs衬底腐蚀剥离掉，经蒸镀、刻蚀等工艺形成电极制成管芯。本发明以高热导率的6H－SiC材料为基底，将LED发光层从GaAs上转移到6H－SiC基底上，可改善产品高温特性，提高产品可靠性。