用于湿法清洁等离子处理装置的电极组件的方法和装置

摘要

提供用于对电极组件的背板或包括背板和电极板的电极组件进行清洁的方法。该方法可以被用于清洁各种材料制成的背板和电极组件，例如硅电极板以及石墨和铝背板。该背板和电极组件可以是新的、使用过的或翻新的。还提供在这些方法中使用的冲洗夹具。

说明书

背景技术

[0001]在用刻蚀、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、 离子注入和光阻移除等技术处理基板时，要使用等离子处理装置。 一种用于等离子处理的等离子处理装置包括具有上下电极的反应 室。在该电极之间建立电场，以将处理气体激活到等离子状态，从 而对反应室内的基板进行处理。

发明内容

[0002]提供一种用于清洁等离子处理装置的电极组件的背板的 方法的示例性实施方式，该方法包含使用溶剂接触该背板，并擦拭 该背板的外表面以去除外表面的微粒；使用水喷淋该背板，以去除 该背板的外表面的微粒和该背板的气体通道中包含的微粒；超声清 洁该背板；及在容纳该背板的冲洗夹具中使用冲洗液冲洗该背板， 以去除该背板外表面的微粒和该背板的气体通道中包含的微粒。

[0003]提供一种用于清洁等离子处理装置的电极组件的方法的 示例性实施方式，该电极组件包含粘合于电极板的背板，该方法包 含使用溶剂接触该背板和电极板，并擦拭该背板的外表面和该电极 板的外表面以去除该背板和电极板的外表面的微粒；使用水喷淋该 背板和该电极板，以去除该背板和该电极板的外表面的微粒和该背 板和电极板的气体通道中包含的微粒；超声清洁该电极组件；及在 容纳该电极组件的冲洗夹具中使用冲洗液冲洗该电极组件，以去除 该背板和电极板的外表面的微粒和该背板和电极板的气体通道中 包含的微粒。

[0004]提供一种用于清洁等离子处理室的背板或电极组件的冲 洗夹具的示例性实施方式，该电极组件包括该背板和电极板，该冲 洗夹具包含底板，该底板包含包括上表面的凹下的内部部分，外围 部分，下表面，多个在该上表面和该下表面之间延伸的液体通道， 该上表面被配置为支撑该背板或该电极组件；及盖板，被配置为当 该背板或该电极组件被支撑在该底板上时覆盖该底板，该盖板包括 至少一个液体通道，通过该液体通道将冲洗液引入该底板和该盖板 限定的该冲洗夹具内，该冲洗液穿过该背板内的气体通道，或穿过 该电极组件的该背板和电极板内的气体通道，通过该底板内的液体 通道排出该冲洗夹具。

附图说明

[0005]图1显示了冲洗夹具的一个实施方式，该冲洗夹具包括从 底板上移除的盖板。

[0006]图2显示了图1中的冲洗夹具中的底板的顶部透视图。

[0007]图3显示了图1中的冲洗夹具中的底板的底部透视图。

[0008]图4显示了冲洗夹具的另一个实施方式，该冲洗夹具包括 固定于底板的盖板。

[0009]图5显示了图1中的冲洗夹具的一部分的横断面视图，该 冲洗夹具处于组装状态，一个包括电极板和背板的电极组件位于该 冲洗夹具内。

[0010]图6是图1中的冲洗夹具的一部分的横断面视图，该冲洗 夹具处于组装状态，一个电极组件的背板位于该冲洗夹具内。

具体实施方式

[0011]提供对用于等离子处理装置的背板和电极组件进行清洁 的方法。该背板和电极组件可以是新的、使用过的或者翻新过的。 还提供用于清洁该背板和电极组件的装置。

[0012]在对半导体基板进行等离子处理的过程中，需要尽量减 少处理室元件带入该等离子处理室的微粒的数量。这些微粒，被称 为“附加物(adders)”，能够沉积在基板上并因而降低工艺产量。

[0013]等离子处理室可包括上电极组件和基板支架，该基板支 架面对该上电极组件且具有下电极。例如，该上电极可以是喷淋头 (showerhead)电极组件。喷淋头电极组件可能是微粒的来源。这 种装置可以包括电极板和支持构件，例如背板，该背板锁固于该电 极板上。该电极板和背板可能具有气体通道，通过该气体管道将处 理气体引入该等离子处理室。例如，该背板可以是用石墨制成的。 石墨是相对来说较软和较脆的。例如，该电极板可以是用硅制成的。 该电极板可与该背板粘合到一起。

[0014]该电极板和/或该背板可能是微粒的来源。微粒可能来自 该电极组件制造过程中的不同来源。例如，微粒可能是由石墨背板 制造过程、电极板和/或背板的预粘合污染、粘合工艺、处理和未充 分清洁以及包装过程带来的。该微粒可能是无机物(例如石墨或金 属)或有机物。

[0015]在集成电路制造过程中，为了获得可靠的器件并保持高 产量，有必要对半导体晶圆表面的特定污染物进行控制。在光刻或 刻蚀步骤中，晶圆表面上微粒的出现可能会干扰该处的图形转换。 结果就是，这些微粒可能导致关键特性的缺陷，该关键特性包括门 结构、金属间(intermetal)电介质层或金属连线，并导致集成电路 元件出现故障或失效。

[0016]提供增强型清洁方法，该方法能显著减少喷淋头电极组 件等上电极组件上的微粒数量。该方法的一些实施方式只可以用于 清洁电极组件的背板。该方法的其他实施方式可以用于清洁该电极 组件，包括锁固于背板上的电极板。

[0017]本发明的一些实施方式可以用于清洁新的、使用过的或 翻新的背板和电极组件。此处的“新的”背板和电极组件没有在半 导体处理室内用于处理半导体基板过，“使用过的”背板和电极组 件已经在半导体处理室内用于处理半导体基板过，“翻新的”背板 和电极组件已经在半导体处理室内用于处理半导体基板过，而且该 电极还经过了后续处理(例如抛光)，以去除不想要的表面污染物 和/或表面结构(例如黑硅)或不平坦的表面区域，该不平坦的表面 区域是等离子处理期间在硅电极基板的下表面(暴露于等离子体的 表面)上形成的。根据其情况，可以对该电极板的整个下表面，或 下表面的一部分进行抛光。硅电极板可以被翻新过一次或多次。

[0018]例如，电极组件的电极板可以由硅(单晶硅更好)或碳 化硅构成。例如，电极板一般是圆形的，直径为200mm、300mm或 更大。电极板可以具有任何合适的厚度，例如在0.25英寸到0.5英寸 之间。例如，该背板可以由碳或铝构成。该背板一般具有与该电极 板的形状和尺寸相应的圆形形状和尺寸。该电极组件可包括围绕该 电极板的外部电极(例如外部环)和围绕该背板的外部支撑构件(例 如外部背环)。

[0019]该增强型清洁方法的示例性实施方式至少包括下面四个 步骤。对于仅仅清洁电极组件的背板的情况，使用包含溶剂(例如 异丙醇)的合适的清洁液来清洁该背板。可以将该背板浸于清洁液 中。还可以用洁净布(clean room cloth)擦拭。该溶剂可以去除背 板上的有机材料，该有机材料是在制造和/或处理过程中产生的。

[0020]擦拭完后，用水喷淋该背板。优选地，该清洁方法中的 实施方式中使用的水是高纯度去离子水。该喷淋在选定的水压下进 行，并进行有效长的时间。一般来说，相对于使用过的或翻新的部 件，为了获得想要的清洁效果，新的部件可以喷淋较短的时间。新 的、使用过的和翻新的部件一般被喷淋一次以上。

[0021]在喷淋之后，在液体浴(liquid bath)中对该背板进行超 声清洁。该超声清洁在选定的电压水平、温度下进行，并进行有效 长的时间，以去除该背板上的微粒。优选地，该液体是高纯度去离 子水。这一步可以进行一次以上。一般来说，相对于使用过的或翻 新的部件，为了获得想要的结果，新的部件可以超声清洁较短的时 间。使用过的或翻新的部件一般被超声清洁一次以上。

[0022]背板还在冲洗夹具中进行清洁，下面会对该冲洗夹具进 行更详细的描述。该冲洗夹具使用高压强下的冲洗液，以去除该背 板(和/或电极组件的电极板)的气体通道内的微粒。

[0023]对于包括锁固于电极板的背板的电极组件，使用溶剂和 去离子水的清洁，以及使用加压去离子水的喷淋都在该电极板和背 板的暴露表面进行。

[0024]下面参照电极组件的一个示例性实施方式的清洁方法， 对该增强型清洁方法的其他方面进行描述，该电极组件包括硅电极 板以及与该电极板粘合的石墨或金属(例如铝)背板。然而，如上 所述，该清洁方法的一些实施方式可以用于在将背板(例如石墨背 板或铝背板)粘合到电极板之前对该背板进行清洁。例如，该方法 可以用于在将石墨背板粘合到硅电极板之前对其进行清洁，然后在 该石墨背板粘合到硅电极板之后再次对该电极组件进行清洁。该清 洁去除了表面微粒，以及在该背板和电极板间的气体通道内包含的 微粒以及背板和电极板之间的微粒。该电极组件可以是新的、使用 过的或翻新的。

[0025]首先，视觉观察该电极组件是否存在缺陷。

[0026]使用溶剂对该电极组件进行处理，优选地，通过浸入包 含异丙醇或类似物质的溶剂槽中。电极组件被处理(或浸泡)所需 的时间，例如大约5分钟到15分钟。使用洁净布对硅电极板和石墨 板进行擦拭以去除包括有机污染物和人类污染物的表面污染物。

[0027]优选地，在10级洁净房中，使用喷淋枪对该硅电极板进 行喷淋，该喷淋枪使用选定压强的去离子水(通常小于约50psi压 强)，使用N₂或类似物。一般来说，对该硅电极板喷淋至少大约3-5 分钟，对该石墨基板喷淋至少大约2-5分钟，并对该硅电极板再次喷 淋至少约3-5分钟，总共至少大约10分钟。该喷淋可以有效去除该硅 电极板和背板的表面微粒，也可以去除这些板的气体通道内包含的 微粒。

[0028]优选地，在10级洁净房中，使用异丙醇/去离子水对该硅 电极板进行擦拭直到擦的时候看不到污染物。也使用异丙醇/去离子 水对该石墨背板进行擦拭直到擦的时候看不到污染物。擦拭可以去 除板体的表面微粒。

[0029]优选地，在10000级洁净房中，将电极组件浸入包含约 40-50℃的去离子水的超声槽中约5到20分钟。超声清洁可以去除该 电极组件的微粒。

[0030]优选地，在10000级洁净房中，再次使用上述喷淋枪对该 电极板进行喷淋，使用选定压强的去离子水，该选定压强一般小于 约50psi。一般来说，对该硅电极板喷淋至少约3-5分钟，对该石墨 基板喷淋至少大约2-5分钟，并对该硅电极板再次喷淋至少约3-5分 钟，总共至少大约10分钟。该喷淋可以有效去除该硅电极板和背板 的表面微粒，也可以有效去除这些板的气体通道内包含的微粒。

[0031]优选地，在10级洁净房中，将该电极组件安装到冲洗夹 具上。图1-3显示了用来清洗电极组件(或电极组件的背板)的该冲 洗夹具10的示例性实施方式。该冲洗夹具10包含底板20和盖板50。 图1描绘了移除了该盖板50的该冲洗夹具10。所示底板20具有圆形 配置，并包含上表面22和下表面24。上表面22包括环形的第一凸起 26和环形的第二凸起28，该第二凸起28从该第一凸起26放射状向 外。上表面22包括中央液体通道30，以及位于第二凸起28和基板的 外围部分36之间的多个周向间隔的液体通道34，该外围部分36环绕 内部部分。直径相对的孔38形成在该外围部分36内。在图1中，该 电极组件由该底板20支撑，该电极组件包括电极板72和下面的背板 74，该背板锁固于该电极板72(图5)。

[0032]在该实施方式中，底板20包括位于外围部分36的柄42， 以使用户可以传送该冲洗夹具10。例如，用户可以握住柄42，将该 冲洗夹具10定位到用该冲洗夹具10来进行清洁操作的槽的开口上 端。在使用该冲洗夹具10的过程中，冲洗液(例如高纯度去离子水) 流过该底板20的液体通道30、32、34进入该槽。

[0033]该实施方式中，在该底板20的外围部分36上提供周向间 隔的门闩42。每个门闩42包括扣件44。如图2所示，优选地，门闩 42是凹下去的以使得该门闩42不会与底板20上支撑的电极组件接 触。

[0034]图3所示的冲洗夹具10的盖板50被配置为覆盖该底板20。 该盖板50包含凹陷的内部部分52，该内部部分52的大小为覆盖该底 板20的内部部分；以及外围部分54，当该盖板50装设在该底板20上 的时候，该外围部分54适于覆盖该底板20的外围部分36。盖板50包 括对位脚56，当该盖板50放置于该底板20上的时候，每个对位脚的 大小都能够插入基板20的外围区域36中的相应的对位孔38中。优选 地，对位脚56由软的、可变形材料制成，例如聚四氟乙烯(PTFE) 或类似物质，以避免损坏该电极组件。该盖板50还包含多个形成在 外围部分54内的切口57，每一个切口都被配置为可以接收门闩42的 扣件44，以将该盖板50锁固到该底板20上。

[0035]该盖板50的内部部分52包括至少一个液体通道，优选地， 包括多重液体通道58，通过液体通道58可以将冲洗液引入该盖板50 的内部部分52和该底板20的内部部分之间的空隙。在一个实施方式 中，每个液体通道58都与一个独立的液体供应线流体连接。

[0036]如图4所示，该冲洗夹具10包括外壳60，该外壳60定义了 该盖板50的上表面59上的稳压室62。该外壳60包括单一的与液体供 应线连接的流体管道64，以将冲洗液供应至每个液体通道58。

[0037]该盖板50的外围部分54包括一个环形沟66(图3)和插入 该环形沟66的O-环68(图5和图6)。如下所述，当该盖板50锁固于 该底板20时，该O-环68在该盖板50和该位于该底板20上的电极组件 的部分区域之间提供了不透水的密封。

[0038]该底板20和该盖板50由合适的材料制成，该材料与电极 组件的材料匹配。在一个优选实施方式中，该底板20和盖板50是由 聚醚酰亚胺等聚合材料制成的。关于该底板20，该门闩42是由其他 的合适材料制成的。

[0039]图5描述了冲洗夹具10，该冲洗夹具具有锁固于该底板20 的盖板50。该电极组件70包括电极板72和支撑在该底板20上的并包 围于该冲洗夹具10内的背板74。该电极板72被粘合(例如胶性粘合) 于该背板74。如上所述，该电极组件可以是新的、使用过的或者翻 新的。该电极板72可以是由硅或SiC构成的。该背板74可以是由例 如石墨或铝等构成的。该电极组件70的电极可以包括外部电极，例 如连续的或多段的环，被配置为围绕该电极环72。该支撑构件还包 括被配置围绕该背板72的环。该电极和支撑构件的环可以不使用该 冲洗夹具10进行清洗，因为该环一般仅仅包括很少的孔或者没有 孔，也就是说，该电极和支撑构件的环可以使用该清洁方法中除了 使用冲洗夹具的步骤外的每个步骤进行清洁。

[0040]如图5所示，该盖板50的沟66内提供的该O-环68与该电极 板72的表面76(也就是说，当该电极组件安装在等离子处理室内的 时候，与该等离子接触的表面)在该电极板72的外围边沿部分78处 接触，并在该电极板72和该盖板50的该外围部分54之间形成不漏水 的密封。该电极板72包括气体通道80，该气体通道80流体连接于该 背板74内的更大的气体通道82。

[0041]为了清洁该电极组件70，将该冲洗液以很高的压强引入 该冲洗夹具10，通过该盖板50内的液体通道58，然后流经该电极板 72内的该气体通道80，然后通过下面的背板74内的气体通道82。一 般来说，该冲洗液是去离子水。该冲洗液可以包括溶剂，例如异丙 醇。该冲洗液通常是在大约40-50psi压强下引入，流速为约5-10加仑 /分钟。该冲洗液可以在室温下，或者在较高温度下，例如约40-50℃。 优选地，该冲洗液不是再循环的。优选地，沿着该液体线提供微粒 过滤器(例如0.2和1um)以去除该冲洗液中的微粒。

[0042]电极板72和/或背板74的气体通道80内包含的微粒，以及 在处理和粘合期间困于该电极板72和背板74之间的微粒，被携带在 该冲洗液中并从该气体通道80、82中以及从该电极板72和背板74之 间去除。该冲洗液通过该底板20的内部部分中的液体通道30、32和 34流出该冲洗夹具10。如图所示，该电极组件70被置于该底板20上， 其电极板72面对该盖板50，以使得从该电极板72的该气体通道80中 去除的微粒穿过该底板20的较大的气体通道82。相反，如果该电极 组件70被置于该底板20上，而且背板74面对该盖板50的话，从该背 板74的气体通道82中去除的较大的微粒会被困在该电极板72的较 小的气体通道80处，并因此不会被从该电极72中去除。

[0043]图6显示了该冲洗夹具10的另一个实施方式，该冲洗夹具 10具有锁固于该底板20的盖板50，且在该底板20上仅仅支撑着该电 极组件70的背板74。在本实施方式中，提供匹配环84以覆盖该背板 74的表面并保护该表面。该匹配环84包括沟88，该沟的大小为可以 接收该背板74的该外围部分86的凸起的外围边缘90，以保护该外围 边缘90免于损坏。该盖板50上提供的该O-环68与该匹配环84的表面 接触，并在该盖板50和该匹配环84之间形成不透水的密封。

[0044]为了清洁该图6中所示的背板74，将该冲洗液以一定压强 引入该冲洗夹具10，通过该盖板50内的液体通道58，然后流经该背 板内的气体通道82。包含在背板74的气体通道82中的微粒被携带在 该冲洗液中。

[0045]根据该背板或该电极组件的状态，可以将该背板或电极 组件在该冲洗夹具10中清洁一次或几次。例如，可以使用异丙醇冲 洗(例如2％的异丙基冲洗)、热去离子水冲洗和最终去离子水冲洗 来清洁该背板或电极组件。

[0046]该电极组件在该冲洗夹具内清洁完之后，使用异丙醇/去 离子水对该硅电极板进行擦拭，直到擦拭时看不到污染物。使用异 丙醇/去离子水对该石墨背板进行擦拭，直到擦拭时看不到污染物。 可以再次使用异丙醇/去离子水对该硅电极板进行擦拭，直到擦拭时 看不到污染物。擦拭去除了该电极板和背板表面的微粒。

[0047]优选地，在10级洁净房中，将电极组件再次浸入包含约 40-50℃的去离子水的超声槽中约5到20分钟。

[0048]优选地，在10级洁净房中，使用混合酸擦拭以清洁该硅 电极基板的表面，以去除硅电极上的表面污染物，从而减少表面微 粒的数量。对硅电极来说合适的混合酸包含HF/HNO₃/HAc的混合 物。例如，用酸擦拭大约2-5分钟。用酸擦拭去除了硅表面的金属残 留。在用酸擦拭之间使用去离子水冲洗该硅电极板。

[0049]用酸擦拭之后，优选地，人不直接接触该硅电极板的表 面，所有的接触都带着手套或者使用设备。

[0050]优选地，在10级洁净房中，再次使用上述喷淋枪对该电 极板进行喷淋，使用选定压强的去离子水，该选定压强一般小于 50psi。一般来说，对该硅电极板喷淋至少约3-5分钟，对该石墨基 板喷淋大约2-5分钟，并对该硅电极板再次喷淋至少约3-5分钟，总 共至少大约10分钟。该喷淋可以有效去除该硅电极板和背板的表面 微粒，也可以有效去除这些板体的气体通道内包含的微粒。

[0051]优选地，在10级洁净房中，用氮气对该硅电极板进行干 燥。

[0052]接下来，优选地，在10级洁净房中，在约110-120℃温度 下对该电极组件加热约3-5个小时，以完全去除该电极组件中的水。

[0053]优选地，在10级洁净房中，视觉观察该电极组件是否有 物理缺陷和装饰缺陷(cosmetic defects)。

[0054]然后对该电极组件进行表面微粒计数分析。

[0055]然后对该电极组件进行包装。优选地，在10级洁净房中， 将该电极组件放入尼龙内袋中。优选地，在1000级洁净房中，密封 该内袋。将该内袋放入外带中，该外带是真空密封的。

[0056]实施例

[0057]实施例1

[0058]使用液体微粒计数器测量还没有进行超声清洁的刚收到 的石墨背板中的微粒的数量。然后在槽中在温度约为50℃的去离子 水中对该石墨背板进行超声处理1个、2个、3个小时，超声频率为 40KHz，石墨加载后的能量密度为10-20瓦/平方英寸。也就是说， 对石墨板体超声清洁1小时，然后从液体浴中移除并测试，然后再 进行1小时的超声清洁，然后再次从液体浴中移除并测试，然后再 进行1小时的超声清洁(总共3个小时)，然后再次从液体浴中移除 并测试。然后使用该液体微粒计数器在每个清洁时间周期内对该背 板上微粒的数量进行测量，该液体微粒计数器分析该石墨背板进行 清洁所处的液体。测量结果显示在表1中。

表1

[0059]如表1所示，超声清洁显著降低了该石墨背板上每个尺寸 范围内的微粒数量。然而，至少0.2um大小的微粒的数量在3小时超 声清洁之后仍然是6,900,000。

[0060]实施例2

[0061]使用液体微粒计数器测量进行过超声清洁的刚收到的石 墨背板中的微粒的数量。然后如实施例1所述对该石墨背板进行超 声清洁。然后使用该液体微粒计数器在每个清洁时间周期内对该背 板上微粒的数量进行测量。测量结果如表2所示。

表2

[0062]如表2所示，超声清洁显著降低了该石墨背板上每个尺寸 范围内的微粒数量。对该石墨背板的1小时，2小时，3小时之后的 清洁进一步减少了微粒的数量。然而，至少0.2um大小的微粒的数 量在3小时超声清洁之后仍然是2,100,000。

[0063]实施例3

[0064]使用液体微粒计数器测量还没有进行超声清洁的刚收到 的石墨背板表面的微粒的数量。洁净房外的至少0.3um大小的微粒 的微粒计数测量如下：12,468个/平方英寸，13,646个/平方英寸和 9,298个/平方英寸，平均值为11,804个/平方英寸。

[0065]实施例4

[0066]使用液体微粒计数器测量进行过超声清洁的刚收到的石 墨背板表面的微粒的数量。洁净房外的至少0.3um大小的微粒的微 粒计数测量如下：4,794个/平方英寸，4,213个/平方英寸和4,247个/ 平方英寸，平均值为4,427个/平方英寸。

[0067]实施例5

[0068]在本实施例中，实施例3中的刚收到的还没有进行超声清 洁的石墨背板根据该增强型清洁方法的示例性实施方式进行清洁。 该石墨清洁方法包括下述流程。检测该石墨背板并使用激光微粒计 数器在洁净房外在多个位置对该石墨背板进行表面微粒计数。将该 石墨背板浸入异丙醇中1分钟并进行擦拭以去除重的黑色微粒。在 1000级洁净房里，使用压强为40-50psi的去离子水对该石墨背板的 每一面喷淋5分钟。然后使用高纯度去离子水和异丙醇对该石墨背 板进行擦拭，直到在擦拭时看不到黑色污点。接下来，再使用压强 为40-50psi的去离子水对该石墨背板的每一面喷淋1分钟。然后将该 石墨背板插入图1和6所示的冲洗夹具(石墨背板不需要该匹配环 84)。然后使用压强为40-50psi的氮气和高纯度去离子水冲洗15分 钟。接下来，将该石墨背板浸入液体温度为40-50℃超声能量为10-20 瓦/平方英寸的超声清洁槽中，每一面大概8分钟。然后使用高纯度 去离子水和异丙醇对该石墨背板的表面进行擦拭，直到在擦拭时看 不到黑色污点。再使用压强为40-50psi的去离子水对该石墨背板的 每一面喷淋1分钟。然后用氮对该石墨背板进行干燥。接下来，在 温度120℃的炉中加热该石墨背板3个小时。然后将该石墨背板从该 炉中移除，并使其冷却到环境温度。在洁净房外面在多个位置使用 激光微粒计数器进行5次表面微粒计数。至少0.3um大小的微粒的微 粒计数读数为0.0个/平方英寸。

[0069]实施例6

[0070]在本实施例中，实施例4中的刚收到的石墨背板已经根据 实施例5中描述的清洁方法的示例性实施方式进行过清洁。清洁完 之后，在洁净房外面在多个位置使用激光进行5次表面微粒计数。 至少0.3um大小的微粒的微粒计数读数为0.0个/平方英寸。

[0071]实施例7

[0072]使用液体微粒计数器分析实施例5的石墨背板。测试结果 如表3所示。

表3

[0073]如表3所示，该增强型清洁方法的实施方式使得对于开始 的液体微粒计数值和3个小时超声处理之后的值来说，至少0.2um微 粒的数量降低到了一个很低的值。

[0074]实施例8

[0075]使用液体微粒计数器分析实施例6的石墨背板。测试结果 如表4所示。

表4

[0076]如表4所示，该增强型清洁方法的实施方式使得至少 0.2um的微粒的数量降低到比表3中的值更少。

[0077]实施例1、2、7、8中的至少0.2um大小的微粒的液体微粒 计数结果总结在表5中。

表5

[0078]使用此处所述的清洁方法的实施方式进行清洁的背板 (例如石墨背板)和电极组件(例如石墨背板和锁固到该背板的硅 电极板)可以被安装到等离子处理室中并用于对半导体基板进行等 离子处理，可以显著减少微粒附加物的数量，优选地，在这些基板 上，相对于没有经过该清洁的背板和电极组件而言。该清洁方法的 实施方式可以获得持续的低室内微粒读数且大体上没有毁灭性缺 陷。例如，该清洁方法的实施方式可以获得的微粒附加物的读数， 对于尺寸为约0.2um到约1um的微粒附加物来说为少于20，例如少于 10或者少于5，大于约0.2um的微粒的区域附加物的读数大体为0。

[0079]尽管本发明是以其优选实施方式的方式来描述的，显然， 对于本领域的技术人员来说，可以在不违背权利要求所限定的本发 明的精神和范围的情况下，作出没有特别描述过的增加、删除、修 改和替换。