补偿亚稳定化合物基异质结双极晶体管

摘要

一种用于通过应变补偿原子种类的取代布置来假晶生长和集成原位掺杂的应变补偿亚稳定化合物基(107)到电子器件(100)如例如SiGe NPN HBT中的方法。本发明也应用于其它电子器件中的应变层，比如MOS应用、竖直薄膜晶体管(VTFT)和各种其它电子器件类型。由SiGe以外的化合物半导体如例如GaAs、InP和AlGaAs形成的异质结和异质结构器件也可顺应于这里描述的有益工艺。