公开/公告号CN101488387A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-07-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院安徽光学精密机械研究所;
申请/专利号CN200810156784.1
申请日2008-10-17
分类号H01F1/40(20060101);H01F41/00(20060101);C04B35/12(20060101);C04B35/45(20060101);C04B35/622(20060101);
代理机构34112 安徽合肥华信知识产权代理有限公司;
代理人余成俊
地址 230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号1125信箱
入库时间 2023-06-18 17:59:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-09-07
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01F1/40 公开日:20090722 申请日:20081017
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-09-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-07-22
公开
公开
机译: 制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译: Ag掺杂的p型ZnO基半导体晶体层的制备方法
机译: 有机发光部件具有分别由p掺杂和n掺杂的空穴传输层形成的连接单元,以及分别由有机n掺杂剂和p掺杂剂材料形成的n型和p型点层。