公开/公告号CN101481795A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-07-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第四十八研究所;
申请/专利号CN200810143932.6
申请日2008-12-12
分类号C23C16/44;C23C16/24;
代理机构长沙正奇专利事务所有限责任公司;
代理人马强
地址 410111 湖南省长沙市天心区新开铺1025号
入库时间 2023-12-17 22:14:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-03-23
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/44 公开日:20090715 申请日:20081212
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-09-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-07-15
公开
公开
机译: 用电子束结晶化等离子体增强化学气相沉积形成的氢态非晶硅薄膜的方法,制造多晶硅硅酸盐薄膜的方法和用该方法制造的多晶硅硅酸盐薄膜的方法
机译: 等离子体发生器和用于薄膜沉积的反应室,包括该等离子体发生器和反应室
机译: 减小泄漏电流,电势和反应室压力并显着提高高频功率以减少等离子体损伤,防止薄膜粘着并改善由稀释气体等离子体形成的薄膜附着力的薄膜形成方法