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半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序

摘要

由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13),使用由多个层的每一层中的配线图案的图案数据组记述半导体器件的多个配线的构成的配线信息,将多个配线中通过分析区域的配线作为不良的候补配线而抽出,并且,在候补配线的抽出中,通过进行使用图案数据组的配线图案的等电位追踪,从而抽出候补配线。由此,实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

著录项

  • 公开/公告号CN101467056A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-06-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浜松光子学株式会社;

    申请/专利号CN200680054977.5

  • 申请日2006-10-23

  • 分类号G01R31/311;G01N21/956;

  • 代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本静冈县

  • 入库时间 2023-12-17 22:14:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R31/311 授权公告日:20111109 终止日期:20141023 申请日:20061023

    专利权的终止

  • 2011-11-09

    授权

    授权

  • 2009-08-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-06-24

    公开

    公开

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