公开/公告号CN101460581A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-06-17
原文格式PDF
申请/专利权人 美利肯公司;
申请/专利号CN200780020240.6
申请日2007-03-26
分类号C09D175/04(20060101);C08G18/08(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人巫肖南
地址 美国南卡罗来纳州
入库时间 2023-12-17 22:10:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-07-25
授权
授权
2009-08-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-06-17
公开
公开
机译: 微电子结构的制造方法,包括制备具有半导体材料表面的施主衬底,在表面上形成涂层,并将该层的自由表面分子安装在受体衬底的表面上。
机译: 集成电路的制造方法涉及在衬底上构建介电涂层,该衬底具有在有源区上方形成并被栅隔离层隔开的栅电极。
机译: 用于动态RAM的绝缘结构的制造方法,包括执行湿化学蚀刻步骤以去除衬底,并垂直于涂层增加或减少衬底中间的掺杂材料的浓度