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用于调整蚀刻工艺中临界尺寸均匀性的方法

摘要

本发明提供了用于蚀刻布置在基板上的金属材料层以便横贯所述基板形成具有特征所需轮廓和均匀临界尺寸(CD)的特征的方法。在一个实施例中,一种用于蚀刻布置在基板上的材料层的方法包括在蚀刻反应器中提供在基板上布置有金属层的基板,将至少包含含氯气体和钝化气体的气体混合物流入到所述反应器中,所述钝化气体包括氮气和不饱和烃气体,其中所述氮气和所述不饱和烃气体具有在大约1∶3和大约20∶1之间的气体流速比,以及使用从所述气体混合物形成的等离子体来蚀刻所述金属层。

著录项

  • 公开/公告号CN101452881A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-06-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料股份有限公司;

    申请/专利号CN200810179052.4

  • 发明设计人 丁国文;李昌宪;蒂哈-廷·苏;

    申请日2008-11-27

  • 分类号H01L21/768;H01L21/3213;C23F4/00;

  • 代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐金国

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 22:06:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-10-16

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/768 申请公布日:20090610 申请日:20081127

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-01-25

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/768 变更前: 变更后: 申请日:20081127

    著录事项变更

  • 2011-01-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20081127

    实质审查的生效

  • 2009-06-10

    公开

    公开

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