一种具有高机械强度的掺锗直拉硅片及其制备方法

摘要

本发明公开的掺锗直拉硅片，硅片中的氧浓度为5×1017～15×1017cm－3，锗浓度为1×1015～1×1021cm－3，体微缺陷密度为1×106～1×1010cm－3。其制备方法为：将上述氧浓度和锗浓度的直拉掺锗硅单晶片，在氩气或氮气保护下，于450～950℃保温2～50小时；或者先在450～950℃保温2～50小时，然后在1000～1300℃保温2～30小时。将掺锗直拉硅单晶片经热处理工艺，可以在硅片体内形成高密度的氧沉淀，并诱生出高密度的体微缺陷，这些体微缺陷将钉扎硅片中的位错，抑制位错的滑移运动，从而提高直拉硅片的断裂强度，改善直拉硅片的机械性能，提高集成电路的成品率。