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一种具有多孔硅背反射层的晶体硅太阳电池

摘要

一种具有多孔硅背反射层的晶体硅太阳电池,其特从受光面起向下排列顺序依次为:前电极(1)、表面钝化层(2)、N型硅层及织构结构(3)、在N型和P型层交界处形成的具有光伏效应的PN结(4)、P型硅衬底(5)、多孔硅背面反射层(6)、背面钝化层及背电极(7);靠近不受光面一侧的硅材料表面存在由孔隙率交替变化的多孔硅布拉格反射器,提高了太阳电池的光电转换效率。

著录项

  • 公开/公告号CN101404301A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电工研究所;

    申请/专利号CN200810224180.6

  • 发明设计人 周春兰;王文静;

    申请日2008-10-24

  • 分类号H01L31/052;

  • 代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人关玲

  • 地址 100080 北京市海淀区中关村北二条6号

  • 入库时间 2023-12-17 21:40:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-28

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/052 公开日:20090408 申请日:20081024

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-04-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/052 申请日:20081024

    实质审查的生效

  • 2009-04-08

    公开

    公开

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