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用于形成半导体器件中的层间绝缘膜的方法

摘要

一种用于形成层间绝缘膜的方法包括:设置半导体衬底,该半导体衬底具有包括多个金属布线的第一衬底区域和没有金属布线的第二衬底区域,以及然后在第二衬底区域中形成绝缘膜虚拟图样,其中绝缘膜虚拟图样具有与金属布线相同的厚度,以及然后在包括绝缘膜虚拟图样的半导体衬底上方形成层间绝缘膜。

著录项

  • 公开/公告号CN101383324A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东部高科股份有限公司;

    申请/专利号CN200810215525.1

  • 发明设计人 崔澔永;

    申请日2008-09-04

  • 分类号H01L21/768;

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人李丙林

  • 地址 韩国首尔

  • 入库时间 2023-12-17 21:32:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-05-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/768 公开日:20090311 申请日:20080904

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-05-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-03-11

    公开

    公开

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