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一种高纯高致密多晶CeB6块体阴极材料的制备方法

摘要

一种高纯高致密度多晶CeB6阴极材料的制备方法属于稀土硼化物阴极材料技术领域。现有CeB6的制备工艺复杂,且制备的样品纯度低,致密性差。本发明通过采用直流电弧蒸发冷凝法制备氢化铈纳米粉末,再将氢化铈纳米粉末与硼粉末在低氧环境中研磨混合后,采用放电等离子烧结技术在真空或高纯氩气气氛中烧结,得到多晶CeB6阴极材料。本发明方法工艺简单、烧结温度低,且制备的阴极材料纯度高,致密性好,化学纯度高及发射性能优异。

著录项

  • 公开/公告号CN101372339A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-02-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN200810225028.X

  • 发明设计人 张久兴;周身林;刘丹敏;

    申请日2008-10-24

  • 分类号C01B35/04(20060101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张慧

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-06-18 17:42:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B35/04 公开日:20090225 申请日:20081024

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2009-04-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-02-25

    公开

    公开

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