公开/公告号CN101355031A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN200810119693.0
申请日2008-09-05
分类号H01L21/285(20060101);H01L31/18(20060101);H01L33/00(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/54(20060101);C23C14/08(20060101);
代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人张燕慧
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2023-06-18 17:41:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-07-21
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/285 公开日:20090128 申请日:20080905
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-03-25
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-01-28
公开
公开
机译: P型透明氧化物半导体,具有该P型透明氧化物半导体的晶体管及其制造方法
机译: 用于p型氧化物半导体薄膜的组合物和制备p型氧化物半导体薄膜的方法
机译: P型氧化物半导体薄膜的组成和制备P型氧化物半导体薄膜的方法