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电介质间隙填充的高密度等离子体化学气相沉积工艺

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摘要

本发明描述了一种使用高密度等离子体在衬底间隙中形成电介质材料的方法。该方法包括使用高密度等离子体在间隙中沉积第一部分电介质材料。该沉积可形成突出结构，其至少部分阻挡所述电介质材料沉积在间隙中。将所述第一部分电介质材料暴露于包括来自含NH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-04-22

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C16/30 申请公布日:20090204 申请日:20071207

发明专利申请公布后的驳回
2012-02-15

著录事项变更 IPC(主分类):C23C16/30 变更前: 变更后: 申请日:20071207

著录事项变更
2010-02-03

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-02-04

公开

公开

1. 电介质间隙填充的高密度等离子体化学气相沉积工艺 [P] . 中国专利： CN101358336A . 2009-02-04
2. 使用高密度等离子体化学气相沉积填充缝隙的方法和沉积材料的方法 [P] . 中国专利： CN1856870A . 2006-11-01
3. Gap-fill method using high density plasma chemical vapor deposition process and manufacturing method for integrated circuits device comprising the gap-fill method [P] . 韩国专利： KR100555539B1 . 2006-03-03

机译：利用高密度等离子体化学气相沉积工艺的间隙填充方法以及包括该间隙填充方法的集成电路器件的制造方法
4. GAP-FILL METHOD USING HIGH DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS AND MANUFACTURING METHOD FOR INTEGRATED CIRCUITS DEVICE COMPRISING THE GAP-FILL METHOD [P] . 韩国专利： KR20050060837A . 2005-06-22

机译：采用高密度等离子体化学气相沉积工艺的间隙填充方法及包括间隙填充方法的集成电路装置的制造方法
5. Multi-step deposition-etch-deposition (DEP-ETCH-DEP) high density plasma chemical vapor deposition process for dielectric gap filling [P] . 日本专利： JP5108484B2 . 2012-12-26

机译：用于介电间隙填充的多步沉积-蚀刻-沉积（DEP-ETCH-DEP）高密度等离子体化学气相沉积工艺