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4F平方自对准鳍底电极场效应晶体管驱动相变化存储器

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摘要

本发明涉及存储单元阵列装置及其制造方法，公开了一种4F平方自对准鳍底电极场效应晶体管驱动相变化存储器。在此所述的存储单元包含存储元件，而该存储元件包含可编程电阻材料及自对准底电极。在较佳实施例中，此存储单元的面积为4F

1. 4F平方自对准鳍底电极场效应晶体管驱动相变化存储器 [P] . 中国专利： CN101345251A . 2009-01-14
2. 4F平方自对准侧壁主动相变化存储器 [P] . 中国专利： CN101290948A . 2008-10-22
3. 4F²self align side wall active phase change memory [P] . 美国专利： US8237148B2 . 2012-08-07

机译： 4F ^{2 自对准侧壁有源相变存储器}
4. 4F²self align side wall active phase change memory [P] . 美国专利： US7755076B2 . 2010-07-13

机译： 4F ^{2 自对准侧壁有源相变存储器}
5. Fabrication of vertical fin field effect transistors having top air spacers and a self aligned top junction [P] . US11081482B2 . 2021-08-03

机译：具有顶部空气隔离物的垂直翅片场效应晶体管的垂直鳍场效应晶体管和自对准的顶部结