机译:Si3N4中的人工缺陷提高了超薄体多晶硅无结场效应晶体管的非易失性存储性能
机译:鳍形隧道场效应晶体管SONOS非易失性存储器具有所有器件中的所有编程机制的高性能
机译:具有沟槽和全栅结构的混合P沟道/ N衬底多晶硅纳米片无结场效应晶体管
机译:使用多晶硅源/漏和BaMgF / sub 4 /电介质的单晶体管存储器的金属铁电半导体场效应晶体管(MPSFET)
机译:适用于超高密度非易失性存储器件的垂直多堆叠晶体管。
机译:一次性编程非易失性存储器中使用的单个多晶硅栅全能无结鳍式场效应晶体管
机译:使用单个ElectromeM聚合物纳米纤维增强有机场效应晶体管的载流子迁移率朝向非易失性存储器