一种可改善负温度不稳定性的PMOS管制作方法

摘要

本发明提供了一种可改善负温度不稳定性的PMOS管制作方法。现有技术中在进行轻掺杂漏注入后并无热处理致使PMOS管的使用寿命因受负温度不稳定性的影响而大大降低。本发明的可改善负温度不稳定性的PMOS管制作方法先进行阱注入形成N型导电阱；然后制作栅极绝缘层和栅极；接着进行轻掺杂漏注入形成轻掺杂漏结构；之后进行热处理，该热处理的温度范围为650至850摄氏度，时间范围为15至60分钟；接着制作栅极侧墙；最后进行源漏注入形成源漏极。本发明的方法可显著改善PMOS管的负温度不稳定性。