半导体集成电路器件及PDP驱动器和等离子体显示器面板

摘要

本发明的半导体集成电路器件，即使在导电引线彼此之间产生短路时，也能够抑制焊丝的温度上升，使半导体集成电路器件的可靠性提高。为此，本发明将从外部电源向半导体集成电路芯片的电源部供给电源用的树脂封装的导电引线、与半导体集成电路芯片的焊盘，利用多条焊丝连接。再有，将与GND连接并向半导体集成电路芯片的电源部供给接地电位用的树脂封装的导电引线、与半导体集成电路芯片的焊盘，利用多条焊丝连接。

说明书

技术领域

本发明涉及由安装了内置高耐压输出电路的半导体集成电路芯片的、由树脂封装构成的半导体集成电路器件；安装有该半导体集成电路器件的PDP驱动器(Plasma Display Panel Driver，等离子体显示器面板驱动器)；以及安装有该PDP驱动器的等离子体显示器面板。

背景技术

作为以往的PDP驱动器及半导体集成电路器件，已知有图3所示的构成。在图3的标号中，1表示高侧晶体管，2表示低侧晶体管，3表示电平移动电路，4表示前置驱动器，5a、5b、5c、5d表示焊盘，6a、6b、6c、6d表示焊丝，7a、7b、7c、7d表示导电引线，8表示半导体集成电路芯片，9表示树脂封装，10表示外部输出负载，12表示外部电源，13表示DC/DC变换器。

半导体集成电路器件由半导体集成电路芯片8、和树脂封装9构成，半导体集成电路芯片8利用环氧树脂等进行树脂模铸。

在半导体集成电路芯片8内，具有高耐压输出电路。该高耐压输出电路串联配置了高侧晶体管1、以及低侧晶体管2，与这些晶体管1和2一起设置有电平移动电路3及前置驱动器4，在周边部分配置多个焊盘5a、5b、5c、5d。该高耐压输出电路用输入前置驱动器4的信号，使高侧晶体管1和低侧晶体管2进行开关动作，通过这样对外部输出负载10供给高压电位或接地电位。

为了对半导体集成电路芯片8供给高压电位、接地电位及输入信号，另外，为了从半导体集成电路芯片8向外部输出负载10供给输出电位，在树脂封装9的外周边缘部分配置导电引线7a、7b、7c、7d。将该导电引线7a、7b、7c、7d与前述对应的焊盘5a、5b、5c、5d之间，用焊丝6a、6b、6c、6d连接。

另外，PDP驱动器具有半导体集成电路芯片8、树脂封装9、外部输出负载10、DC/DC变换器13、以及外部电源12。DC/DC变换器13是为了将外部电源12的电位升压至高电压而使用的，与树脂封装9的高电压电源的导电引线7a连接。

在这样的一般的PDP驱动器及半导体集成电路器件的构成的情况下，在将半导体集成电路芯片8的各焊盘5a、5b、5c、5d与各导电引线7a、7b、7c、7d分别用焊丝6a、6b、6c、6d连接时，用1条焊丝将两者连接(参照JP06-80671B的图1)。

根据前述以往的PDP驱动器及半导体集成电路器件的构成，在通常动作时，能够没有问题得到所希望的动作。但是已经知道，在通常动作时，若由于某种外部原因，而使导电引线彼此之间在树脂封装的外部产生短路，则半导体集成电路器件将引起特性恶化，或者有的情况下半导体集成电路芯片8会损坏。

特别是，PDP驱动器那样的使用高电压的驱动器中所使用的半导体集成电路器件，在导电引线彼此之间产生短路时，往往焊丝6的温度急剧上升。

即，在高电压电源导电引线与输出导电引线、或者输出导电引线与接地电位导电引线产生短路时，过大电流从外部电源12流入损坏的半导体集成电路芯片8。这里，在以往技术的半导体集成电路器件中，焊盘5与导电引线7用1条焊丝6连接，焊丝6本身的阻抗大，由于从电源流入的过大电流的作用，往往焊丝6的温度急剧上升。

本发明考虑到前述以往的问题，其目的在于提供即使导电引线产生短路时也防止焊丝的温度上升从而使可靠性提高的半导体集成电路器件、以及安装有该半导体集成电路器件的PDP驱动器和等离子体显示器面板。

发明内容

为了达到前述目的，本发明有关的半导体集成电路器件，具有内置了用于驱动外部输出负载的高耐压输出电路的半导体集成电路芯片、以及安装有前述半导体集成电路芯片的树脂封装，并且具有一端与树脂封装的导电引线连接、另一端与前述半导体集成电路芯片上的焊盘连接的焊丝，其中，至少将对半导体集成电路芯片的电源部供给电源的焊盘、与前述树脂封装的导电引线之间，用多条焊丝连接。

另外，本发明有关的半导体集成电路器件，将对半导体集成电路芯片的电源部供给电源用的导电引线、与半导体集成电路芯片的焊盘之间；以及连接GND并对半导体集成电路芯片的电源部供给接地电位的导电引线、与半导体集成电路芯片的焊盘之间，用多条焊丝连接。

另外，本发明有关的半导体集成电路器件，多条焊丝是指2条或4条。

另外，本发明有关的半导体集成电路器件，将多个导电引线作为一组导电引线来使用。

另外，本发明有关的半导体集成电路器件，将多个焊盘作为一组焊盘来使用。

本发明有关的第1PDP驱动器，安装有前述第1半导体集成电路器件，并且具有对该半导体集成电路器件通过导电引线供给电源的外部电源。

本发明有关的第2PDP驱动器，对第1PDP驱动器的半导体集成电路器件供给电源部电源，具有限流功能。

本发明有关的第1等离子体显示器面板，安装有第1半导体集成电路器件。

本发明有关的第2等离子体显示器面板，安装有第2PDP驱动器。

根据本发明有关的半导体集成电路器件，将焊盘与导电引线用多条焊丝连接。另外，根据本发明有关的PDP驱动器，外部电源具有限流功能。根据该构成，能够减少焊丝产生的功耗，例如即使在高电压电源导电引线与输出导电引线、或输出导电引线与接地电位导电引线产生短路时，也能够抑制因过大电流而产生的焊丝的温度上升。若将这样的半导体集成电路器件用于PDP驱动器，能够力图提高可靠性。

附图说明

图1为本发明实施形态1的PDP驱动器中的半导体集成电路器件的构成图。

图2为本发明实施形态2的PDP驱动器中的半导体集成电路器件的构成图。

图3为以往的PDP驱动器中的半导体集成电路器件的构成图。

具体实施方式

以下，一面参照附图、一面说明本发明的实施形态。

(实施形态1)

图1为本发明实施形态1的PDP驱动器中的半导体集成电路器件的构成图。另外，对于与图3中说明的构件相对应的构件，附加同一标号。

在图1的标号中，1表示高侧晶体管，2表示低侧晶体管，3表示电平移动电路，4表示前置驱动器，5a、5b、5c、5d表示焊盘，6a、6b、6c、6d表示焊丝(丝)，7a、7b、7c、7d表示导电引线，8表示半导体集成电路芯片，9表示树脂封装，10表示外部输出负载，11表示带限流的DC/DC变换器，12表示外部电源。

半导体集成电路器件由半导体集成电路芯片8、以及树脂封装9构成，树脂封装9利用环氧树脂等进行树脂模铸。

在前述半导体集成电路芯片8内，具有多个高耐压输出电路。该高耐压输出电路配置多个高侧晶体管1、以及低侧晶体管2，与这些晶体管1和2一起设置有电平移动电路3及前置驱动器4。将这些高耐压输出电路沿芯片8的一边平行配置多个，从而构成在PDP驱动器中使用的多输出的半导体集成电路芯片8。再有，在半导体集成电路芯片8的周边部分配置焊盘5a、5b、5c、5d。该高耐压输出电路按照通过输入导电引线IN从外部输入前置驱动器4的信号，使高侧晶体管1和低侧晶体管2进行开关动作，通过这样对外部输出负载10供给高压电位或接地电位。

为了对半导体集成电路芯片8输入电源电位、接地电位及输入信号，另外，为了从半导体集成电路芯片8向外部输出负载10将输出电位输出，前述树脂封装9具有导电引线7a、7b、7c、7d。将该导电引线7a、7b、7c、7d与前述对应的焊盘5a、5b、5c、5d之间用焊丝6a、6b、6c、6d连接。

这里，将对半导体集成电路芯片8供给电源电位及接地电位用的焊盘5a及5c，配置成夹住沿半导体集成电路芯片8的一边配置的高耐压输出电路，以力图减少半导体集成电路芯片8的电源电位及接地电位的电阻分量。

在该实施形态1中，在对高侧晶体管1供给电源电位的布线14的端部，设置4个为一组的焊盘5a。另外，在对低侧晶体管2供给接地电位的布线15的端部，也设置4个为一组的焊盘5c。将高侧晶体管1用的焊盘5a配置在半导体集成电路芯片8的拐角部分，将低侧晶体管2用的焊盘5c配置成夹在2组焊盘5a之间。

为了从外部电源12及带限流的DC/DC变换器11、向半导体集成电路器件内的半导体集成电路芯片8的第一电源部即高侧晶体管1供给电源，在树脂封装9的与前述焊盘5a对应的位置，设置2个为一组的导电引线7a。这各个导电引线7a与来自DC/DC变换器11的布线16直接连接。

然后，多条(在本例中为2条)焊丝6a的一端与1个导电引线7a连接，各1条焊丝6a的另一端与1个焊盘5a连接。因而，在本实施形态中，将2个为一组的导电引线7a与4个为一组的焊盘5a之间用4条焊丝6a连接，对半导体集成电路芯片8供给来自外部电源12的电源电位。

再有，为了向与GND导电引线连接的半导体集成电路芯片8的第二电源部即低侧晶体管2供给接地电位，在树脂封装9的与低侧晶体管2用的焊盘5c对应的位置，设置2个为一组的导电引线7c。这各个导电引线7c与和GND连接的布线17直接连接。

然后，2条焊丝6c的一端与1个导电引线7c连接，各1条焊丝6c的另一端与1个焊盘5c连接。因而，在本实施形态中，将2个为一组的导电引线7c与4个为一组的焊盘5c之间用4条焊丝6a连接，对半导体集成电路芯片8供给接地电位。

这里，焊丝6a及6c的前述条数，即，将为了向半导体集成电路芯片8的高耐压输出电路输入电源电位及接地电位用的焊盘5a及5c与导电引线7a及7c连接的焊丝6a及6c的条数，必须达到能够防止各焊丝的温度上升的丝功耗那样来选定。

具体来说，根据高电压电源导电引线VDDH与输出导电引线OUT、或者输出导电引线OUT与接地电位导电引线GND产生短路时的来自外部电源12的过电流值、以及由使用的焊丝的条数所决定的阻抗，估算焊丝的功耗，还考虑到树脂封装9的材质，来决定能够防止焊丝的急剧温度上升的焊丝的条数。

通过使用前述那样决定的条数的焊丝6a及6c，在本实施形态的半导体集成电路器件中，在通常动作时，即使由于某种外部原因，而使导电引线7a及7c在树脂封装9的外部产生短路，半导体集成电路芯片8损坏时，也由于能够防止焊丝6a及6c的温度上升，因此对半导体集成电路器件提高了可靠性。

另外，本实施形态中使用的DC/DC变换器11，是为了将外部电源12的电位升压至高电压而在PDP驱动器中使用的具有限流功能的DC/DC变换器。因此，即使在高电压电源导电引线VDDH与输出导电引线OUT、或者输出导电引线OUT与接地电位导电引线GND产生短路时，也限制流入半导体集成电路芯片8内的过电流，减少焊丝6a及6c中消耗的功率，通过这样对半导体集成电路器件提高了可靠性。

实施形态2

图2为本发明实施形态2的PDP驱动器中的半导体集成电路器件的构成图。

本实施形态2的基本构成与前述实施形态1相同。即，实施形态2的PDP驱动器的高侧晶体管1、低侧晶体管2、电平移动电路3、前置驱动器4、导电引线7a、7b、7c、7d、半导体集成电路芯片8、树脂封装9、外部输出负载10、带限流的DC/DC变换器11、外部电源12与前述实施形态1相同。不同点是焊盘5a及5c、以及焊丝6a及6c的构成。

在本实施形态2中，在对高侧晶体管1供给电源电位的布线14的端部，设置2个为一组的焊盘5a。另外，在对低侧晶体管2供给接地电位的布线15的端部，也设置2个为一组的焊盘5c。将高侧晶体管1用的焊盘5a配置在半导体集成电路芯片8的拐角部分，将低侧晶体管2用的焊盘5c配置成夹在2组焊盘5a之间。

然后，在树脂封装9的与前述焊盘5a对应的位置，设置2个为一组的导电引线7a。这各个导电引线7a与来自DC/DC变换器11的布线16直接连接。

然后，1条焊丝6a的一端与1个导电引线7a连接，各1条焊丝6a的另一端与1个焊盘5a连接。因而，在本实施形态2中，将2个为一组的导电引线7a与2个为一组的焊盘5a之间用2条焊丝6a连接，对半导体集成电路芯片8供给来自外部电源12的电源电位。

再有，为了向与GND导电引线连接的半导体集成电路芯片8的第二电源部即低侧晶体管2供给接地电位，在树脂封装9的与低侧晶体管2用的焊盘5c对应的位置，设置2个为一组的导电引线7c。这各个导电引线7c与和GND连接的布线17直接连接。

然后，1条焊丝6c的一端与1个导电引线7c连接，另一端与1个焊盘5c连接。因而，在本实施形态中，将2个为一组的导电引线7c与2个为一组的焊盘5c之间用2条焊丝6a连接，对半导体集成电路芯片8供给接地电位。

在本实施形态2中，通过使用前述那样的2条焊丝6a及6c，在本实施形态的半导体集成电路器件中，在通常动作时，即使由于某种外部原因，而使导电引线7a及7c在树脂封装9的外部产生短路，半导体集成电路芯片8损坏时，也由于能够防止焊丝6a及6c的温度上升，因此对半导体集成电路器件提高了可靠性。

另外，即使在高电压电源导电引线VDDH与输出导电引线OUT、或者输出导电引线OUT与接地电位导电引线GND产生短路时，也限制流入半导体集成电路芯片8内的过电流，减少焊丝6a及6c中消耗的功率，通过这样对半导体集成电路器件提高了可靠性。

另外，在上述的实施形态1及2中，所示的例子是使用2个为一组的导电引线7a及7c、或者2个为一组或者4个为一组的焊盘5a及5c，用2条或4条焊丝6a及6c进行连接，但本发明的导电引线7a及7c、焊盘5a及5c的数量不限定于这样的实施形态。只要使用多条焊丝6a及6c，使得没有因从电源向焊丝流入过大电流、而使焊丝6产生过度的温度上升即可，连接方法没有限定。

工业上的实用性

本发明适用于安装了内置高耐压输出电路的半导体集成电路芯片的、由树脂封装构成的半导体集成电路器件，特别是若用于PDP驱动用的驱动器，则即使在高电压电源导电引线与输出导电引线、以及输出导电引线与接地电位导电引线产生短路时，也使半导体集成电路器件的可靠性提高。