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一种稀土离子环形掺杂双包层光纤

摘要

本发明提供了一种稀土离子环形掺杂双包层光纤,包括无掺杂纤芯、内包层和外包层,以及位于纤芯和内包层间的环形掺杂区,环形掺杂区为围绕纤芯的圆环形掺杂稀土离子区域,其折射率低于纤芯,且高于内包层。环形掺杂区一方面增大稀土离子掺杂区域,增大泵浦光耦合到稀土掺杂区域的几率,提高光纤对泵浦光的吸收效率,减小光纤的使用长度;另一方面,这种结构可使环形区域产生的激光耦合到无掺杂稀土离子的纤芯,减小由于Yb

著录项

  • 公开/公告号CN101320109A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN200810048016.4

  • 申请日2008-06-13

  • 分类号G02B6/02;

  • 代理机构华中科技大学专利中心;

  • 代理人曹葆青

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2023-12-17 21:10:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-01-05

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G02B6/02 公开日:20081210 申请日:20080613

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-02-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-12-10

    公开

    公开

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