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钛酸铋镧(BLT)铁电薄膜的低温制备方法

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摘要

本发明涉及用于铁电存储器的钛酸铋镧(BLT)铁电薄膜的低温制备方法。该制备方法由络合剂络合技术和水热反应低温制备技术两部分组成。首先采用络合剂络合技术以无机盐为原料配制钛酸铋镧(BLT)前驱体溶液并在清洗好的Pt/Ti/SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-10-02

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B35/462 申请公布日:20081210 申请日:20080710

发明专利申请公布后的驳回
2009-02-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-12-10

公开

公开

1. 钛酸铋镧(BLT)铁电薄膜的低温制备方法 [P] . 中国专利： CN101318816A . 2008-12-10
2. 用于铁电存储器的掺钕钛酸铋铁电薄膜及其低温制备方法 [P] . 中国专利： CN101017829A . 2007-08-15
3. Bismuth lanthanum titanate (BLT), BLT thin film, and electronic device including the BLT thin film [P] . 美国专利： US2001053740A1 . 2001-12-20

机译：钛酸铋镧（BLT），BLT薄膜以及包括该BLT薄膜的电子设备
4. TRIS(DIISOBUTYLYLMETHANATO)LANTHANOID AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING LANTHANOID-SUBSTITUTED BISMUTH TITANATE FERROELECTRIC THIN FILM BY CHEMICAL VAPOR GROWTH METHOD USING THE SAME [P] . 日本专利： JP2003321417A . 2003-11-11

机译：三（二异丁基戊基氨基）镧系化合物及其制备方法和化学气相沉积法制备取代镧系元素的钛酸铋铁铁薄膜的方法
5. Production method of bismuth titanate ferroelectric thin film [P] . 日本专利： JP3593757B2 . 2004-11-24

机译：钛酸铋铁电薄膜的制备方法