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一种适合氮化硅晶须生长的方法

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摘要

本发明公开了一种适合氮化硅晶须生长的方法。以合金(铁族)化的硅熔体为溶液，氮气或氨气为反应气，温度在1500－1800℃的范围内，真空度在0.01Pa－10Pa范围内采用溶液法生长氮化硅晶须。本发明生长的Si

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-10-24

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B29/38 申请公布日:20081210 申请日:20080701

发明专利申请公布后的视为撤回
2009-02-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-12-10

公开

公开

1. 一种适合氮化硅晶须生长的方法 [P] . 中国专利： CN101319401A . 2008-12-10
2. 一种适合SiC晶须生长的方法 [P] . 中国专利： CN100415951C . 2008.09.03
3. A method for the production of silicon carbide whiskers reinforced silicon nitride - composite material [P] . 德国专利： DE69127761T2 . 1998-01-15

机译：一种碳化硅晶须增强氮化硅复合材料的生产方法
4. A method for the production of whiskers of silicon nitride from the beta - type. [P] . 德国专利： DE3485909T2 . 1993-03-18

机译：一种从β-型生产氮化硅晶须的方法。
5. Composition control of Phyto Diseases comprising a carboxamide derivative compound and one or more compounds of acilalanina; and a control method of a fitoenfermedad including TraffickingR a plant or soil Where it grows a plant with an effective amount of the composition of Phyto Diseases Control. [P] . CL2012002975A1 . 2013-03-22

机译：植物病害的成分控制，其包含羧酰胺衍生物化合物和一种或多种丝兰素化合物;以及包括植物或土壤在内的适合植物生长的植物的防治方法，其中生长有效量的植物病害防治组合物的植物或土壤。