在半导体硅基底上催化生长ZnO纳米线的方法

摘要

本发明涉及一种在半导体硅基底上利用过渡金属的独特催化作用和高分子网络络合效应来促进ZnO纳米线自组装生长的催化生长方法。属于半导体光电纳米材料制备工艺技术领域。本发明采用化学镀镍工艺和高分子自组装生长相结合的工艺方法，通过一定的工艺条件，并适当控制反应条件，在硅基底上得到形貌和性能良好的ZnO纳米线薄膜。本发明方法的制备步骤包括：①半导体硅基底的准备；②硅基底的化学镀镍预处理；③ZnO纳米线的生长。本发明方法所得到的ZnO纳米线在硅基底上分布均匀而致密，直径为40～100nm，长度为10μm左右，长径比大于10，形态均匀。