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具有均匀磁场分布的自适应耦合等离子体源和具有该等离子体源的等离子体室

摘要

公开了具有均匀磁场分布的自适应耦合等离子体源。该自适应耦合等离子体源包括:在反应室的中心区域设置于反应室上方的平板形衬套;多个上部线圈,从所述衬套伸出以被设置于该反应室的上方,以便螺旋状地围绕所述衬套;以及在所述反应室侧壁部分的周围设置以围绕该反应室的多个侧部线圈。

著录项

  • 公开/公告号CN101292332A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 自适应等离子体技术公司;

    申请/专利号CN200680039192.0

  • 发明设计人 金南宪;

    申请日2006-10-20

  • 分类号H01L21/3065;

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人李春晖

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 20:53:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-08-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/3065 公开日:20081022 申请日:20061020

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-12-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-10-22

    公开

    公开

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