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自蔓燃合成法制备高β相氮化硅棒状晶须的方法

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摘要

本发明提供了一种无污染的自蔓燃合成高β相氮化硅棒状晶须的方法，属于无机非金属材料领域。以重量计，金属硅粉：50－65wt％，稀释剂氮化硅粉体15－30wt％，添加剂5－20wt％，添加剂为(NH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-09-14

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B29/38 公开日:20081008 申请日:20071228

发明专利申请公布后的驳回
2008-12-03

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-10-08

公开

公开

1. 自蔓燃合成法制备高β相氮化硅棒状晶须的方法 [P] . 中国专利： CN101280460A . 2008-10-08
2. 自蔓燃无污染快速制备高α相氮化硅粉体的方法 [P] . 中国专利： CN101214934A . 2008-07-09
3. METHOD OF PREPARING SILICON NITRIDE WITH ELEVATED CONTENT OF ALPHA-PHASE [P] . 俄罗斯专利： RU2137708C1 . 1999-09-20

机译： α相高含量制备氮化硅的方法
4. POSTUPAK ZA PRAVLJENJE SILICIJUM-NITRIDA SA VISOKIM SADRŽAJEM ALFA-FAZE [P] . YU46271B . 1993-05-28

机译：制备具有高α相含量的氮化硅的方法
5. PROCESS FOR PRODUCING SILICON NITRIDE WITH HIGH ALPHA-PHASE CONTENT [P] . HU202451B . 1991-03-28

机译：制备具有高α相含量的氮化硅的方法