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金属氮氧化物粘接/腐蚀阻挡层及类金刚石碳上覆层

摘要

本发明公开了一种用于在磁读/写头或磁盘上形成保护性双层的方法。该保护性双层形成为粘接增强和腐蚀抵抗下层和保护类金刚石碳(DLC)上层。下层由过渡金属氮化物形成,具有通式MeO

著录项

  • 公开/公告号CN101276601A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAE磁学(香港)有限公司;

    申请/专利号CN200810081980.7

  • 发明设计人 程实德;冯铸;车泰昊;

    申请日2008-03-21

  • 分类号G11B5/72;G11B5/31;G11B5/84;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人张波

  • 地址 中国香港新界沙田香港科技园科技园东街6号

  • 入库时间 2023-12-17 20:49:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-05-08

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11B5/72 申请公布日:20081001 申请日:20080321

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2010-05-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B5/72 申请日:20080321

    实质审查的生效

  • 2008-10-01

    公开

    公开

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