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改善光刻胶粘附性和重新使用一致性的氢处理方法

摘要

本发明提供了用于从衬底选择性地去除光刻胶、有机上覆层和/或聚合物/残余物而不改变下方衬底层的表面化学和粘附性能的方法。通常,该方法包括在沉积光刻胶层之前用氢预处理衬底(例如,通过基于氢的等离子体),然后在刻蚀、刻蚀后处理、重新使用等过程中利用基于氢的等离子体对衬底进行灰化,以从衬底选择性地去除光刻胶、有机上覆层和/或聚合物/残余物。本发明的基于氢的灰化工艺可以在刻蚀后使用,以去除残余光刻胶,或者可以在重新使用剥离工艺中使用,以去除错位的图案。在初始氢表面预处理之后的基于氢的灰化工艺明显减小了表面化学中毒,同时在灰化之后保持了足够的粘附性能。

著录项

  • 公开/公告号CN101273443A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-09-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN200680035475.8

  • 发明设计人 温迪·H·叶;

    申请日2006-09-26

  • 分类号H01L21/311;G03F7/42;H01L21/3105;

  • 代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人赵飞

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 20:49:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-05-15

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/311 申请公布日:20080924 申请日:20060926

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2008-11-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-09-24

    公开

    公开

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