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一种用于超高密度垂直磁记录介质的制备方法

摘要

本发明提供了一种用于超高密度垂直磁记录介质的制备方法。利用磁控溅射方法,在加热的MgO(001)单晶基片上沉积[FePt(5~20)/Au(2.5~ 7)]

著录项

  • 公开/公告号CN101217041A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN200810056065.2

  • 申请日2008-01-11

  • 分类号G11B5/84;G11B5/851;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2023-12-17 20:23:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-07-14

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11B5/84 公开日:20080709 申请日:20080111

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-09-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-07-09

    公开

    公开

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