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半导体不良解析装置、不良解析方法、及不良解析程序

摘要

由取得半导体设备的不良观察图像(P2)的检测信息取得部(11);取得布局信息的布局信息取得部(12);对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13);和将解析结果信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14),构成不良解析装置(10)。不良解析部(13),参照不良观察图像(P2)来设定解析区域,同时,对半导体设备的布局中所含的多个网路,抽出通过解析区域的网路。由此,半导体不良解析装置、解析方法、及解析程序可实现准确且高效地进行半导体设备的不良解析。

著录项

  • 公开/公告号CN101208608A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浜松光子学株式会社;

    申请/专利号CN200680022711.2

  • 申请日2006-06-20

  • 分类号G01R31/302;H01L21/66;

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本静冈县

  • 入库时间 2023-12-17 20:19:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-06-08

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01R31/302 公开日:20080625 申请日:20060620

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-08-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-06-25

    公开

    公开

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