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公开/公告号CN101154409A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 希捷科技有限公司;
申请/专利号CN200710162931.1
发明设计人 T·F·艾姆布洛斯;J·W·安纳;张凯杰;M·纳斯鲁;R·赫姆斯戴德;M·卢特韦奇;
申请日2007-09-24
分类号G11B9/02;
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人郭辉
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 20:06:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-03-23
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11B9/02 公开日:20080402 申请日:20070924
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-05-28
实质审查的生效
2008-04-02
公开
机译: 包括梯度晶格匹配层的外延铁电和磁记录结构
机译: 包括梯度晶格匹配层在内的表层铁电和磁记录结构
机译:ScGaO_3(ZnO)_m缓冲层制备ScAlMgO_4外延薄膜及其在ZnO外延生长的晶格匹配缓冲层中的应用
机译:与Si衬底晶格匹配的ZnS_xSe_(1-x)外延层的原子层外延生长
机译:Ga诱导的上层结构作为晶格匹配的外延层的模板
机译:锌和碲掺杂对晶格匹配和晶格不匹配的InGaAs / InP外延层和热光伏电池中少数载流子复合的影响。
机译:钇钡氧化铜薄膜生长初期阶段的微观结构表征:晶格匹配和非晶格匹配生长的比较。
机译:1.0-1.16-eV光子应用中接近晶格匹配条件的GaAsSbN / GaAs外延层中Sb和N的掺入相互作用
机译:具有可调节晶格参数和受控化学界面的化学梯度的外延难熔金属缓冲层
机译:用应变层超晶格抑制异质外延结构中的缺陷传播。