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一种采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法

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摘要

一种采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法，在磁控溅射仪上实施，将高纯碲片用导电胶粘贴于高纯铋标准靶上，以此复合靶作为溅射靶材进行共同溅射；以单晶硅片作为薄膜衬底；其工艺参数为：本底真空度高于1.0×10

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-05-11

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/35 公开日:20080430 申请日:20061025

发明专利申请公布后的视为撤回
2010-05-26

文件的公告送达 IPC(主分类):C23C14/35 收件人:高美岭文件名称:手续合格通知书申请日:20061025

文件的公告送达
2009-12-02

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-04-30

公开

公开

1. 一种采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN101168836A . 2008-04-30
2. 采用物理气相沉积法制备碲化铋纳米线阵列的方法 [P] . 中国专利： CN101434455A . 2009-05-20
3. FABRICATION METHODS OF BISMUTH TELLURIDE-BASED THERMOELECTRIC THIN FILMS USING CO-EVAPORATION OF ALLOY COMPOSITION SOURCE AND TELLURIUM SOURCE AND THERMOELECTRIC THIN FILMS PRODUCED USING THE SAME METHOD [P] . 韩国专利： KR101268609B1 . 2013-05-29

机译：基于合金成分源和碲源共蒸发的铋碲化物基热电薄膜的制备方法及采用相同方法制备的热电薄膜
4. A method for preparing bismuth telluride nanotubes and bismuth telluride nanotubes with high aspect ratio [P] . 韩国专利： KR101451302B1 . 2014-10-16

机译：一种高纵横比的碲化铋纳米管和碲化铋纳米管的制备方法
5. Method of depositing heusler alloy thin film by co-sputtering [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1318208A2 . 2003-06-11

机译：通过共溅射沉积豪斯勒合金薄膜的方法