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磁纳米元件中利用超薄阻尼层的阻尼控制

摘要

本发明提供一种层系统、形成该层系统的方法、以及利用该层系统的器件。在一实施例中,该方法包括提供一种包括第一层的双层系统,该第一层包括掺杂以选自4d过渡金属、5d过渡金属、以及4f稀土金属中的一种的掺杂剂材料的第一铁磁材料。该掺杂剂材料预定提供比该第一铁磁材料中的磁阻尼更大的该双层结构中的磁阻尼。该第一层可非常薄,例如小于或等于两纳米厚。该方法还包括提供设置在该第一层上的第二层。该第二层包括第二铁磁材料且该第二层可大于或等于两纳米厚。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-02-10

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-06-11

    实质审查的生效

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  • 2008-04-16

    公开

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