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在数据层中具有控制成核位置的磁存储元件

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摘要

磁存储元件(50)的铁磁数据层(54)形成有控制的成核位置(58)。磁随机存取存储(“MRAM”)器件包括这种磁存储元件(50)的阵列(12)。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2008-12-10

授权

授权
2008-01-30

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20071228 申请日:20030417

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2005-03-16

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-01-21

公开

公开

1. 在数据层中具有控制成核位置的磁存储元件 [P] . 中国专利： CN1469384A . 2004-01-21
2. 具有渐变层的非易失性磁存储元件 [P] . 中国专利： CN101730913A . 2010-06-09
3. Magnetic memory element having controlled nucleation site in data layer [P] . 美国专利： US6905888B2 . 2005-06-14

机译：在数据层中具有受控成核位置的磁存储元件
4. Magnetic memory element having controlled nucleation site in data layer [P] . 美国专利： US2004062125A1 . 2004-04-01

机译：在数据层中具有受控成核位置的磁存储元件
5. Magnetic memory element having controlled nucleation site in data layer [P] . 美国专利： US6803616B2 . 2004-10-12

机译：在数据层中具有受控成核位置的磁存储元件