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一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料

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本发明提供了一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料，Ta/NiCo/Ta多层膜中插入FeMn层制得Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜材料，磁电阻传感器元件由Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜结构元件和Au电极层构成，NiCo合金的成分为Ni

著录项

公开/公告号CN101150171A

专利类型发明专利
公开/公告日2008-03-26

原文格式PDF
申请/专利权人北京科技大学;
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申请/专利号CN200710177709.9
发明设计人于广华;张辉;丁雷;王乐;滕蛟;王立锦;
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申请日2007-11-20
分类号H01L43/10;H01L43/08;H01L43/12;H01F10/00;
代理机构
代理人
地址 100083 北京市海淀区学院路30号
入库时间 2023-12-17 19:58:27

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-11-18

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2008-05-21

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-03-26

公开

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