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薄膜硅太阳能电池中的纳米线

摘要

在有些实施方案中,本发明涉及包含硅(Si)纳米线101为活性PV元件的光伏(PV)器件100、200和1400,在其中,这类器件一般都是薄膜Si太阳能电池。这类太阳能电池一般都具有p-i-n型并能制成前面和/或背面(即上和/或下)照明的。此外,本发明的目标还在于制造和应用这类器件的方法以及使用这类器件的体系和模块(例如,太阳能电池板)。

著录项

  • 公开/公告号CN101136444A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-03-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 通用电气公司;

    申请/专利号CN200710142488.1

  • 发明设计人 B·A·科列瓦尔;L·查卡拉科斯;

    申请日2007-08-27

  • 分类号H01L31/075;H01L31/0352;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人吕彩霞

  • 地址 美国纽约州

  • 入库时间 2023-12-17 19:49:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-04-25

    授权

    授权

  • 2009-10-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-03-05

    公开

    公开

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