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公开/公告号CN101136444A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-03-05
原文格式PDF
申请/专利权人 通用电气公司;
申请/专利号CN200710142488.1
发明设计人 B·A·科列瓦尔;L·查卡拉科斯;
申请日2007-08-27
分类号H01L31/075;H01L31/0352;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人吕彩霞
地址 美国纽约州
入库时间 2023-12-17 19:49:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-04-25
授权
2009-10-21
实质审查的生效
2008-03-05
公开
机译: 薄膜硅太阳能电池中的纳米线
机译: 使用镍纳米线增强薄膜硅太阳能电池中的硅-TCO界面
机译:用于薄膜硅太阳能电池的准周期性单轴纳米线的高效光捕
机译:薄膜外延硅太阳能电池面积超过70%〜2时具有16%的薄膜外延硅太阳能电池,具有30μm的有源层,多孔硅背反射器和基于铜的顶部接触金属化层
机译:n-ZnO薄膜/ ZnO纳米线阵列/ p-GaN薄膜异质结发光二极管中ZnO纳米线的电致发光
机译:开路电压高的基于CuO纳米线的径向异质结薄膜硅太阳能电池
机译:氮化硅薄膜中存在的电荷及其对硅太阳能电池效率的影响的研究
机译:基于不对称纳米线的高效硅太阳能电池
机译:AG纳米线在ZnO量子点/ AG纳米线混合通道光薄膜晶体管中的双重作用
机译:冶金硅衬底上的硅薄膜 - 阶段II。专题报告第3号。薄膜多晶硅太阳能电池的稳定性