公开/公告号CN101097826A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-01-02
原文格式PDF
申请/专利权人 三星SDI株式会社;
申请/专利号CN200710003741.5
申请日2007-01-24
分类号H01J9/02;C01B31/02;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人张波
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 19:32:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-03-17
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-02
公开
公开
机译: 形成碳纳米管结构的方法和使用形成碳纳米管结构的方法制造场致发射器件的方法
机译: 形成碳纳米管结构的方法和使用形成碳纳米管结构的方法制造场致发射器件的方法
机译: 形成碳纳米管结构的方法和利用该方法制造场发射器件的方法