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形成碳纳米管结构的方法及用其制造场发射器件的方法

摘要

本发明提供一种形成碳纳米管(CNT)结构的方法以及利用形成碳纳米管结构的该方法制造场发射器件的方法。形成CNT结构的方法包括:在基板上形成电极;在所述电极上形成缓冲层;在所述缓冲层上形成颗粒形催化剂层;蚀刻通过所述催化剂层暴露的所述缓冲层;以及从形成在所述被蚀刻的缓冲层上的所述催化剂层生长CNT。

著录项

  • 公开/公告号CN101097826A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-01-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星SDI株式会社;

    申请/专利号CN200710003741.5

  • 发明设计人 金夏辰;韩仁泽;崔荣喆;郑光锡;

    申请日2007-01-24

  • 分类号H01J9/02;C01B31/02;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人张波

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 19:32:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-03-17

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-01-02

    公开

    公开

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